一、集成电路功能成品率模型及参数提取方法的研究（论文文献综述）
武庆智[1]（2021）在《宽禁带半导体微波器件机理及其模型研究》文中指出随着国防武器装备和社会生产生活的科技化与信息化程度越来越高,电子信息技术产业在近几十年呈现迅速发展态势,尤其随着新一代5G通讯和装备信息化时代的到来,对射频功率器件性能提出了更高的要求。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和金刚石（Diamond）等材料为代表的第三代宽禁带半导体材料是近些年微波功率器件得以在高性能和小型化方面快速发展的重要基础,其中尤以GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）最具代表性。但由于GaN HEMT器件工作过程中存在较为复杂的物理效应,对其工作机理和特性表征方面的研究仍需继续。器件模型作为连接器件制备工艺和电路设计开发的桥梁,是深入研究GaN HEMT器件工作机理的重要手段。目前已开发出的经验基等效电路模型（紧凑模型）普遍存在拟合参数较多、参数提取困难和物理意义不明确、难以关联器件工艺等问题。且随着新材料和新结构的出现,经验模型也不便于将多种物理效应进行嵌入和表征,不利于后续模型随工艺线升级而更新换代,而物理基紧凑模型可以较好地解决上述问题。因此,本文围绕AlGaN/GaN HEMT器件,从器件半导体理论出发,建立了物理含义明晰、能够准确表征器件特性且能够用于电路设计的物理基紧凑模型。并深入研究器件热效应及力电效应,分别针对金刚石基GaN HEMT器件和柔性AlGaN/AlN/GaN HEMT器件建立了物理解析热电耦合模型和力电耦合模型。主要研究内容包括:（1）费米势Ef与二维电子气密度ns解析模型研究。针对现有物理模型存在的模型方程连续性差、计算量大以及难以集成进紧凑模型进行电路设计应用等问题,本文提出了一种准确计算费米势和2DEG（two-dimensional electron gas）密度的解析建模方法。首先通过研究三角势阱中二维电子气形成机理,分区域推导得到了Ef和ns在各工作区域中关于偏置栅压的解析表达式。然后引入区域过渡函数,建立了全域内连续、统一的Ef和ns解析模型。通过与数值计算结果进行对比验证,表明解析模型与数值解吻合度达到98%,且具备良好连续性,为后续建立器件物理基大信号模型奠定基础。（2）基于表面势的GaN HEMT物理基大信号模型研究。针对经验基等效电路模型拟合参数较多、参数提取难度大和参数缺乏物理意义等问题,以及传统表面势模型迭代计算量大、方程为隐性表达式难以嵌入电路设计的缺陷,本文提出了一种基于表面势的物理基大信号紧凑模型建模方法。基于表面势推导得到了连续可导的电流-电压（I-V）和电荷/电容-电压（Q/C-V）特性方程,实现了自热效应、陷阱效应、载流子速率饱和与击穿等物理效应的准确解析建模。结合分区域缩放原则,最终建立了具有缩放特性的物理基大信号紧凑模型。通过与X波段国产0.25μm工艺不同栅宽器件进行对比验证,结果表明模型具备良好的连续性和对称性,能够准确模拟器件直流、S参数、大信号功率、效率和高次谐波等特性,模型的输出功率和功率附加效率精度均大于94%,满足电路设计要求。本文提出的模型与Angelov经验基模型相比拟合参数数量减少47%,与最新报道的准物理基区域划分模型相比参数数量减少24%,且具有物理效应更易嵌入的优点。（3）金刚石基GaN HEMT器件热效应及其紧凑模型研究。针对现有GaN HEMT器件热模型因忽略界面热阻或简单将其采用定值代替而造成的结温预估不准确问题,本文基于有限元分析方法建立了一种可准确反映器件沟道结温的三维热仿真模型,并采用物理意义明确的物理解析方法实现键合层热效应Radh表征。将所提取的与结构尺寸、材料参数和耗散功率相关的解析热阻模型嵌入到大信号模型中,最终实现了大信号热电耦合模型建立。与红外热成像测试数据对比表明热模型精度达到97%,仿真精度提高10%,大信号热电模型输出功率和效率精度均大于95%。通过衬底转移前后器件特性对比分析和沟道结温影响因素分析,表明该模型既可用于研究工艺参数与器件热特性之间的关系,也可用于分析金刚石衬底引入的作用机理及对大信号特性的影响。（4）柔性GaN HEMT器件物理解析力电耦合模型研究。现有柔性GaN HEMT器件应力模型大多为三维有限元仿真模型,难以嵌入电路仿真软件中对功率特性进行研究。少数解析模型也仅停留在电流模型的定性分析层面,且无法对相同应变状态下器件应变特性相反的现象进行解释。基于以上问题,本文提出了一种针对柔性GaN HEMT器件的力电耦合模型。在二维电子气密度方程推导过程中引入应变参量,综合考虑了压电极化效应、肖特基势垒高度、能带结构和表面态密度等因素对器件应变特性的影响。模型能够准确预测器件在不同应变状态下的输出特性,同时可用来解释GaN HEMT器件在相同应变状态下展现出相反的应变特性这一现象,具备更好的适用性。通过所制备的0.25μm工艺Parylene衬底柔性AlGaN/AlN/GaN HEMT器件验证表明,模型可准确描述器件不同应变状态下的阈值电压、电子气密度、电流和输出功率等特性,输出功率和功率附加效率的精度均大于96%。该模型对于深入了解GaN HEMT器件应变特性,并对通过应变工程改善器件工艺、提高器件性能具有指导意义。
姚源[2]（2020）在《GaN器件大信号模型在MMIC成品率设计中的应用研究》文中研究指明宽禁带半导体晶体管——氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）在高频、高效率、高功率领域具有广泛的应用,已经成为了国内外微波半导体器件方面的研究热点。基于GaN HEMT建立的大信号晶体管模型是晶体管和电路的枢纽,对优化电路设计,提高晶体管性能有指导作用。目前,发展较为成熟的晶体管模型多为经验基模型,是以大量的拟合参数来表征晶体管的自热、色散等特性。然而随着工艺的不断改进、器件的发展,亟需能指导器件工艺和结构设计的物理基大信号模型。另一个方面,微波化合物半导体芯片的成品率优化设计一直以来是集成电路设计的难点,其主要原因是晶体管制备上工艺参数精确控制难,而在电路设计上又缺乏准确的大信号工艺统计模型。因此,如何建立晶体管微波特性与物理参数相关联的物理基统计模型成为了微波氮化镓电路设计和应用的关键。本文针对GaN HEMT开展了准物理基大信号模型和物理基统计模型研究,并基于统计模型提出了一种提高MMIC成品率的方法,主要研究内容如下:1.基于区域划分理论的GaN HEMT准物理基大信号模型研究。对栅长为0.15μm的GaN HEMT器件,首先通过测试得到晶体管的直流I-V、多偏置下的S参数以及大信号特性,然后基于区域划分理论,建立了准物理基大信号模型。最后经毫米波功放芯片验证结果表明,在23dBm输入,36GHz频点所建的大信号模型输出功率误差为1.4%、功率效率误差为1.8%、增益误差为2.2%。2.微波GaN HEMT物理基大信号统计模型研究。采用4个批次25个GaN HEMT器件,基于自建的区域划分模型,从Ids数据集出发,采用主成分分析法、因子分析法对数据集进行处理,建立了包含势垒层厚度、最大电子饱和速度、最大电子面密度、夹断时的电子面密度、饱和电子迁移率等物理参数统计特性的统计模型,大信号验证结果表明在36GHz处,不同输入功率下统计模型均值精度高于90%。3.基于大信号统计模型的成品率优化设计。通过对大信号统计模型中参数灵敏度的统计分析,提出了一种基于大信号统计模型的成品率优化设计方法。该方法首先在多参数波动下的负载牵引仿真得出阻抗分布图,然后建立阻抗点对应的输出特性与成品率的关系,最后找出成品率最大的阻抗点进行芯片设计。结果表明,在32GHz-38GHz频带内,新芯片成品率结果对比原始芯片结果提高了近10%。
伍尧[3]（2017）在《版图灵敏度新模型及提取算法研究》文中提出在半导体行业中,集成电路（IC）生产的成品率一直是该行业努力提升的方向,成品率的提高能够起到减少生产成本、提高利润、节约资源的重要作用。随着集成电路制造技术的迅速发展、规模的扩大和特征尺寸的逐步减小,导致由制造缺陷引起的成品率损失愈发严重。目前,在IC生产过程中,成品率下降的原因是在版图布线阶段,版图布线关乎产品成品率高低。在版图优化的过程中,如何选择待优化的线网至关重要。将灵敏度作为成品率估计和待优化线网选择的手段,能够很好的解决上述问题,最终达到提升集成电路生产成品率的目的。本文首先提出基于可视矩阵的灵敏度提取算法（VMS）。定义一个二维可视矩阵,用于存储不同线网间可能产生短路的信息和单个线网可能产生开路的信息,依据可视矩阵的信息计算灵敏度,将传统的版图灵敏度计算模型与可视矩阵相结合。VMS是一种加速算法,在现有的灵敏度计算模型的基础上增加VMS算法,能够缩短原模型的计算时间。实验结果证明,该算法不仅能够保持原模型的计算结果,更缩短了计算时间,特别是对于复杂版图。本文提出了带权灵敏度模型（WS）和基于边表示带权灵敏度的版图优化算法（WSOE）。WS是一种计算灵敏度的新模型,能够有效减少大概率出现的缺陷对IC成品率的影响。运用数学形态学的方法计算线网的关键面积,以关键面积的大小与线网大小为依据计算带权灵敏度,并运用VMS算法提高带权灵敏度的计算速度。基于边表示带权灵敏度的版图优化算法是WS的一种应用,是将带权灵敏度模型与数据结构中的图论相结合进行版图优化。该算法运用到图的特点,在一次遍历中可以得到多条待优化线网。WSOE网在选取待优化线网时充分考虑了线网之间的联系性,找出线网间连接最紧密、对版图优化效果最显着的一条路径,路径上包含了多条线网。
陈利生[4]（2014）在《纳米工艺集成电路成品率专用测试结构设计方法研究》文中研究表明集成电路进入纳米工艺时代以来,工艺复杂度越来越高,新材料、新器件不断被引入,制造工艺偏差的影响不断增大,这些新问题的出现给纳米工艺下成品率预测和测试结构设计带来了新的挑战。测试结构作为成品率研究的重要工具被应用在产品开发的多个阶段,如电路参数的提取、缺陷及故障的检测、版图设计规则的制定及优化、工艺设备性能的评估等。测试结构对缩短集成电路工艺开发周期、提高产品成品率、降低产品成本,都有着非常重要的作用。在前人对成品率及测试结构相关研究成果的基础上,本文进行了以下几项测试结构方面的研究工作：1.提出一种考虑置信度和估计精度的通孔链测试结构设计方法。本文为了提高参数提取的置信度和估计精度、减小通孔链测试结构设计中统计随机性对于参数提取的影响,提出通过大数定理和De Moivre-Laplace定理确定通孔链测试结构中通孔总数量和单个通孔链中通孔数量的取值范围；研究了在考虑面积优化时确定通孔总数量和单个通孔链中通孔数量的最优组合的方法。蒙特卡罗仿真和晶圆实验验证了该设计方法有着良好的性能。2.提出考虑置信度和估计精度的蛇形测试结构设计方法。本文依据大数定理和林德伯格——列维定理确定了蛇形测试结构的总面积和每个蛇形测试结构面积的合理取值范围；研究了以面积优化为导向的蛇形测试结构总面积和每个蛇形测试结构面积的最优组合的确定方法。本文改善了互连层平均缺陷密度测量的准确性和经济性,可以在给定的置信度和估计精度下,使测试结构面积配置达到最优。3.提出使用伪晶体管阵列测试结构提取栅氧化层短路缺陷密度。本文提出了与正常晶体管制造工序和结构相同的伪晶体管阵列测试结构,用于提取栅氧化层短路缺陷密度参数。伪晶体管阵列结构可以模拟正常晶体管的缺陷形成过程,而且更加容易识别栅氧化层缺陷。实验结果表明,这种伪晶体管阵列提取的群聚效应下栅氧化物短路缺陷密度用于相同工艺其他产品的成品率预测时,预测数据与电测试数据有着很好的匹配度。
戚苏阳[5]（2014）在《版图转换算法与灵敏度新模型研究》文中研究说明集成电路的成品率优化一直是半导体业界关心的问题，尤其是目前硅集成电路进入特征尺寸为纳米的工艺阶段，以成品率为核心的可制造性设计成为其中的研究热点，而版图设计阶段的成品率性能更是优化电路设计和制造工艺研究的重要课题。版图的图像格式不仅是随机缺陷热点检测的基础，而且也更有利于精确计算版图的关键面积和后续版图的优化，更重要的是为集成电路成品率的提高奠定了基础。本文以提高集成电路成品率和版图优化效率为目标，结合图像处理技术提出一种将版图格式的文件转换为图像格式文件的算法。该算法以CIF命令和BMP命令为基础，不仅能实现CIF文件的图元转换为BMP图像，而且能完成整个CIF版图的转换。此外，考虑到随机缺陷分布的版图设计是减少成品率损失的有效途径，文中进一步研究了版图的布线优化问题。为了减少由冗余物和丢失物缺陷所引起的成品率损失，需要提取版图优化线网的位置信息。本文提出了一种新的短路开路灵敏度（NSOS）模型，并基于随机形状缺陷和随机形状线网实现了提取待优化线网位置的算法。部分版图上的实验结果表明，NSOS线网灵敏度模型可用于确定版图优化线网的位置，为受缺陷影响的版图优化过程提供了精确的依据，从而实现了版图优化系统性能的改进。
李玻玻[6]（2014）在《基于丢失物缺陷的开路关键面积减小方法研究》文中认为集成电路发展规模的不断扩大以及各个元器件尺寸的不断缩小，使得如何保持和改进集成电路的制造成品率成为优化集成电路设计、改进生产工艺的热门问题。成品率设计已经成为解决集成电路的可制造性问题和成品率问题的关键方法，因此为了降低由丢失物缺陷引起的成品率损失，减少由丢失物缺陷产生的开路关键面积和选取版图优化过程中待优化的线网成为一个重要课题。本文提出了基于产生开路关键面积区域的开路优化算法和并将该算法与开路灵敏度模型相结合共同实现版图线网的开路优化。全文首先分析了集成电路制造工艺过程中出现的随机缺陷的类型以及数学形态学的基本算法，然后对随机缺陷产生的关键面积区域进行特征表述并提出开路优化算法，最后对现有的开路灵敏度模型进行研究，对比现有的开路灵敏度模型在开路优化过程中的影响，并将灵敏度模型与开路优化算法相结合来实现集成电路的版图优化。通过减小开路关键面积来实现版图优化是实现集成电路成品率提高的一种非常有效的途径。本文提出的开路优化算法是建立在开路关键面积提取算法上，提取开路关键面积区域所在的线网区域，对该区域进行开路线网的优化从而实现开路关键面积的减小，同时本文对比现有的灵敏度模型来选取最合适的模型与开路优化算法结合来实现版图线网的开路优化。
叶翼[7]（2013）在《集成电路成品率预测技术与面向成品率的设计》文中认为随着集成电路纳米时代的到来,制造工艺复杂度的爆炸式增长使得成品率预测和面向成品率的设计成为研究热点。成品率与制造成本直接相关,成品率预测技术使得设计者和生产者在生产之前就能够预估最终的成品率与成本,从而避免了盲目投产的项目风险。进一步地,设计者和生产者还能够在成品率预测技术的指导下,分析成品率丢失的原因,从而优化版图设计与工艺流程。论文围绕集成电路成品率预测技术和面向成品率的设计,对新的工艺流程与设计方法对成品率带来的新问题以及如何在设计时处理这些问题开展了研究与实践。论文的主要内容和创新点如下：1)开发了一款面向成品率的掩模设计软件平台。研究了如何在掩模设计阶段考虑与避免晶圆切割对成品率影响,完成了面向成品率的掩模设计软件平台的研发工作。软件平台已在国内集成电路制造厂商的生产中投入了使用。2)结合1),提出了考虑晶圆切割和随机缺陷的掩模设计方法。此方法额外考虑了芯片因为随机缺陷引发的成品率丢失,避免了随机缺陷成品率较低的芯片由于晶圆切割导致的进一步成品率丢失。与最小化掩模面积的方法和只考虑晶圆切割的方法相比,实验中此方法在满足MPW各项目芯片需求产量的前提下分别减少了15.22%和7.14%的晶圆数量。3)结合1),提出了支持芯片受约束限制的掩模设计方法。通过对芯片进行层次化分组和在目标方程中引入芯片位置的惩罚项,避免了指定芯片之间的切割冲突,减少了由晶圆切割导致的成品率丢失。4)改进了线形缺陷的关键面积提取模型。新的平坦化工艺导致了大量的线形缺陷,而线形缺陷的成品率预测依赖于其关键面积提取模型。改进模型由于考虑了版图中短线条的线端效应,可适用于一般版图图形的关键面积提取。对于包含大量短线条的示例版图,改进模型下提取的平均关键面积精确度提高了16.90%。此项改进能够为面向成品率设计提供更准确的反馈。5)提出了记忆体电路的缺陷分析和成品预测的方法。记忆体主导了芯片的成品率,为了提高其成品率而加入的冗余单元则给记忆体的成品预估带来了困难。该方法通过对线上缺陷的动态和即时分析,可在电学测量之前预估记忆体是否为成品,不但缩短了测试时间,而且由于问题的提前发现,降低了生产成本与项目风险。该方法已被国内集成电路制造厂商采纳,并在其专利中引用。
梁涛[8]（2013）在《模拟集成电路性能参数建模及其参数成品率估计算法的研究》文中进行了进一步梳理随着集成电路设计向系统集成的方向发展，落后的模拟集成电路设计自动化水平已成为制约数模混合系统发展的瓶颈。电路优化技术是实现模拟集成电路设计自动化的重要手段，而基于电路性能参数模型的电路优化更是这一技术发展的核心。现有的建模技术要么是以器件尺寸作为变量从而使电路优化深受初始点的影响，要么无法反映电路原理且与设计习惯不符从而无法得到大范围的推广应用。参数成品率（以下简称为成品率）的估计是否符合实际情况是成品率优化能够成功实现的基础，同时也是合理选择供应商或制造厂家的关键所在。成品率估计的核心问题是用尽量少的电路仿真次数最大可能的提高成品率估计的精度。当面对已剔除不合格品的截尾数据样本时，传统的成品率估计方法不再适用，因此如何识别截尾数据并快速准确地估计这一特殊条件下的成品率，是一个急待解决的问题。本文深入研究了电路性能参数建模与参数成品率估计这两个模拟集成电路设计自动化及其成品率优化的关键问题，具体的研究内容包括以下几点：1.在分析了模拟电路设计的特点及其对器件模型要求的基础上，本文提出了一种直流工作点驱动MOS器件参数宏模型。该模型以直流工作点和MOS管沟道长度作为输入参数，小信号参数和宽长比作为模型的输出。在宏模型建立的过程中，径向基函数被用来对分散的多元数据进行插值。这些数据是由根据深亚微米MOS器件的工作特性为其制定的数据采集方案所产生的。该模型与普通的器件模型一样具有可移植可复用的特点，符合电路设计者的使用习惯。运用这种宏模型可以将电路自动偏置在指定的直流工作点上，且该过程无需做仿真迭代；同时模型的输出可达到BSIM3v3级模型的输出精度水平。将该模型运用在电路设计中可以获得良好的效果。2.电路性能参数模型可分为基于原理的性能方程和基于仿真的宏模型，本文研究了使用MOS器件参数宏模型建立这两类性能模型的方法，并将它们应用于电路优化。通过实例对这两类电路性能模型的精度和泛化能力做了比较。文中以直流工作点和MOS管的沟道长度共同作为优化变量，可使电路优化的搜索空间更大，但变量数目过多也会影响优化算法的性能。为此本文提出了一种双层循环的电路优化模式，根据直流工作点和沟道长度各自的特点，将它们分别作为外层循环与内层循环的优化变量。这样内外层循环均可以使用较简单的算法在较少的迭代次数下达到最优，从而提高了寻优过程的效率。3.针对蒙特卡洛法和拟蒙特卡洛法存在的数据信息利用率低的问题，本文提出了一种基于数值积分的成品率估计方法。该方法通过直接在可接受域上对性能的联合概率密度函数作积分而获得成品率的估计。为此，性能的仿真数据须先经由Box-Cox变换转化为服从多元正态分布的数据。同时采用基于正交表的改进拉丁超立方体抽样方法对工艺扰动参数进行抽样，如此可大幅减小联合概率密度函数中分布参数的估计方差。由于该方法对数据信息的利用率较高，因此仅需较少的仿真次数便可获得较高精度的成品率估计，且无需建模，可用于多维非正态性能的成品率估计。文中对这一方法的原理作了详细的分析，并在多种样本量及成品率水平的组合下，与其他成品率估计方法做了比较，验证了该方法的优越性。4.分析了由截尾正态数据估计成品率的方法，比较了几种正态性检验法在识别单侧截尾正态样本时的功效。基于成品率与过程能力指数的关系构造了一种经验公式，当合格样品的性能数据服从单侧截尾正态分布时，可由截尾样本均值和标准偏差直接计算成品率。该经验公式利用极其简单的运算就可取得与极大似然法几乎完全相同的精度。当满足一定的条件时，该方法也可用于双侧截尾正态样本的成品率估计。
王乐[9]（2013）在《基于图像处理技术的开路关键面积提取》文中提出集成电路是20世纪60年代发展起来的一种新型半导体器件。随着集成电路规模的不断扩大和器件特征尺寸的不断缩减，保持和改善集成电路的制造成品率成为优化电路设计和制造工艺研究的热点。集成电路的制造成品率可分为参数成品率和功能成品率两种类型，其中与局部缺陷密切相关的功能成品率的研究一直是集成电路制造业的重点。关键面积研究对芯片设计的高功能成品率要求而言是极其重要的。关键面积研究是集成电路可制造性研究领域的重要内容，关键面积在集成电路成品率和可靠性预测中发挥十分重要的作用。由于缺陷是集成电路发生电路故障的主要原因，缺陷模型与缺陷特征描述成为关键面积研究的基础。数学形态学是一门建立在严格的数学理论基础上而又密切联系实际的科学，非常适合版图中几何图形元素与缺陷形态分析和描述。本文对关键面积的研究工作是以提高成品率为最终目标，以集成电路的版图布线优化为有效手段，结合图像处理技术提出一种新的开路关键面积计算模型和提取算法，并将其应用于版图布线优化。本文基于形态学图像处理设计并实现了开路关键面积提取。首先，通过数学形态学中细化运算获取线网拓扑路径曲线；其次，借助于数学形态学中击中击不中变换识别线网边界上的拓扑路径的线端，获取线网流向轴。随后，借助于线网流向轴断开线网边界，进而提取线网流向边。再次，对线网流向边进行膨胀运算并对膨胀结果进行叠加。然后，基于数学形态学的集合运算提取叠加后的重叠区域，即开路关键区域。最后，计算开路关键区域的面积，即开路关键面积。集成电路关键面积提取为集成电路成品率的提升提供了前提条件。基于关键面积减小的版图优化是实现集成电路成品率提高的一种有效途径。本文将基于图像处理技术的开路关键面积计算模型和提取算法应用于集成电路版图优化。从开路关键面积降低的角度，基于线网宽度的调整的集成电路版图优化可以减小关键面积，进而提高成品率。从短路关键面积降低的角度，基于线间距离的调整的集成电路版图优化可以减小关键面积，进而提高成品率。基于线网参数调整的集成电路版图优化对于集成电路成品率的提升具有极其重要的意义。
刘士钢[10]（2013）在《集成电路成品率的版图灵敏度模型研究》文中认为在深亚微米技术节点，成品率设计，尤其是版图设计阶段的成品率设计是解决可制造性问题和成品率问题的重要途径。为了减少由冗余物缺陷所引起的成品率损失，选择优先进行优化的候选线网成为版图优化过程中的一个重要课题。本文提出了一种新的短路灵敏度模型，该模型以线网为单位，反映了单位面积膨胀后的线网上该线网与周围线网间的关键面积的大小。由于本文的灵敏度模型是关于单一线网的，同时又包含候选线网周围线网的信息，因此，在优化时可以同时减少候选线网与周围线网之间的短路关键面积，提高了版图优化的效率。与以往的考虑芯片面积或者考虑基本版图的信息灵敏度模型相比，本文提出的短路灵敏度模型不仅优化效率高，而且更加适用于版图优化时待优化线网的选择。关于开路灵敏度模型，因为灵敏度模型的研究最终是为了进行版图优化设计以提高成品率，所以本文提出了考虑线网优化空间的开路灵敏度模型。该模型综合分析了线网进行优化的必要性和可能性，可以确保选取的优化位置能够进行高效的版图优化。
二、集成电路功能成品率模型及参数提取方法的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、集成电路功能成品率模型及参数提取方法的研究（论文提纲范文）
（1）宽禁带半导体微波器件机理及其模型研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 微波GaN HEMT器件与模型的国内外发展动态 |
| 1.2.1 器件方面 |
| 1.2.2 模型方面 |
| 1.3 本论文的研究内容和结构安排 |
| 第二章 GaN HEMT器件表面势模型基本理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 GaN材料与器件特性 |
| 2.2.1 材料特性 |
| 2.2.2 器件典型结构和工作原理 |
| 2.3 紧凑模型基础 |
| 2.4 GaN HEMT表面势模型建模基础 |
| 2.4.1 模型基本方程 |
| 2.4.2 费米势E_f和2DEG密度n_s解析计算 |
| 2.4.3 结果验证及分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 SiC基 AlGaN/GaN HEMT器件物理基表面势模型研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 内核模型方程推导及验证 |
| 3.2.1 本征漏源电流I_(ds)模型建模 |
| 3.2.2 本征栅源电容C_(gs)、栅漏电容C_(gd)模型建模 |
| 3.3 物理基表面势大信号模型研究 |
| 3.3.1 小信号模型建模 |
| 3.3.2 自热效应研究 |
| 3.3.3 陷阱效应研究 |
| 3.3.4 模型分析与在片测试验证 |
| 3.4 模型缩放特性研究 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 金刚石基GaN HEMT器件热效应及其紧凑模型研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金刚石基GaN HEMT器件结构和制备流程 |
| 4.3 三维热仿真模型建立及热阻提取 |
| 4.3.1 固体传热模型和热阻概念 |
| 4.3.2 三维热仿真模型建立及验证 |
| 4.3.3 沟道温度的关键影响因素分析 |
| 4.4 界面热特性分析及热电耦合模型建模 |
| 4.4.1 GaN/金刚石界面特性研究和热阻提取 |
| 4.4.2 衬底转移前后的器件性能对比分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 柔性AlGaN/AlN/GaN HEMT器件力电耦合模型研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 柔性GaN HEMT器件制备和应变测试方法 |
| 5.2.1 柔性GaN HEMT器件结构和制备流程 |
| 5.2.2 弯曲测试实验方案介绍 |
| 5.3 物理基解析力电耦合模型建模 |
| 5.3.1 AlGaN/AlN/GaN结构2DEG密度解析模型 |
| 5.3.2 物理基解析应力模型建模 |
| 5.4 模型验证与结果分析 |
| 5.5 本章小节 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（2）GaN器件大信号模型在MMIC成品率设计中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 物理基模型 |
| 1.2.2 统计模型 |
| 1.2.3 微波电路成品率优化方法 |
| 1.3 本文研究内容及工作安排 |
| 第二章 GaN HEMT准物理基大信号模型研究 |
| 2.1 GaN材料及器件特性 |
| 2.1.1 GaN材料 |
| 2.1.2 GaN HEMT器件结构与工作原理 |
| 2.2 GaN晶体管模型分类 |
| 2.3 小信号等效电路模型 |
| 2.3.1 寄生参数的提取 |
| 2.3.2 本征参数的提取 |
| 2.3.3 小信号模型验证 |
| 2.4 基于区域划分的GaN HEMT准物理大信号模型 |
| 2.4.1 区域划分原理简述 |
| 2.4.2 区域划分大信号模型的建立 |
| 2.4.3 区域划分大信号模型的验证 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 GaN HEMT大信号统计模型研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 统计方法 |
| 3.2.1 主成分分析法 |
| 3.2.2 因子分析法 |
| 3.3 GaN HEMT大信号统计模型及参数提取 |
| 3.3.1 统计模型的建立 |
| 3.3.2 参数提取 |
| 3.4 GaN HEMT大信号统计模型的验证 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 GaN HEMT统计模型在成品率设计中的应用研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 器件物理参数波动对大信号输出特性影响评估 |
| 4.2.1 单个器件物理参数波动 |
| 4.2.2 多个器件物理参数波动 |
| 4.3 基于统计模型的成品率优化设计方法 |
| 4.4 统计模型在功放电路中的成品率优化设计验证 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 在学期间取得的与学位论文相关的研究成果 |
（3）版图灵敏度新模型及提取算法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 缺陷对集成电路的影响 |
| 1.3 研究意义与现状 |
| 1.4 本文主要工作及内容安排 |
| 第二章 版图研究的理论基础 |
| 2.1 局部缺陷类型 |
| 2.1.1 冗余物缺陷 |
| 2.1.2 丢失物缺陷 |
| 2.1.3 氧化物针孔缺陷和结泄漏缺陷 |
| 2.2 数学形态学 |
| 2.2.1 二值膨胀 |
| 2.2.2 二值腐蚀 |
| 2.2.3 二值开运算和闭运算 |
| 2.2.4 击中击不中变换 |
| 2.3 版图图像的转化 |
| 2.4 关键面积的计算 |
| 2.4.1 短路关键面积的提取 |
| 2.4.2 开路关键面积的提取 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于可视矩阵的灵敏度提取算法 |
| 3.1 现有的灵敏度模型 |
| 3.1.1 现有的短路灵敏度模型 |
| 3.1.2 现有的开路灵敏度模型 |
| 3.1.3 现有的综合灵敏度模型 |
| 3.2 基于可视矩阵的灵敏度提取算法 |
| 3.2.1 可视矩阵 |
| 3.2.2 VMS算法 |
| 3.3 VMS算法应用及分析 |
| 3.3.1 VMS算法的应用 |
| 3.3.2 VMS算法的分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 带权灵敏度模型及WSOE网 |
| 4.1 成品率计算模型 |
| 4.1.1 功能成品率模型 |
| 4.1.2 冗余成品率类型 |
| 4.2 带权灵敏度模型 |
| 4.2.1 WS的提出 |
| 4.2.2 WS的提取算法及应用 |
| 4.2.3 WS的物理结构 |
| 4.3 基于WSOE网的版图优化算法 |
| 4.4 WSOE网的应用 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）纳米工艺集成电路成品率专用测试结构设计方法研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 图目录 |
| 表目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 集成电路发展概况 |
| 1.2 纳米工艺下测试结构及成品率问题的新来源 |
| 1.2.1 新材料的引入 |
| 1.2.2 新器件的引入 |
| 1.2.3 工艺复杂度的增加 |
| 1.2.4 工艺偏差的影响增大 |
| 1.3 成品率问题及其研究现状 |
| 1.4 成品率测试结构的研究意义 |
| 1.4.1 测试结构在产品生命周期各个阶段的应用 |
| 1.4.2 测试结构的各种用途 |
| 1.4.2.1 提取参数 |
| 1.4.2.2 检测并量化随机缺陷 |
| 1.4.2.3 确定产品可靠性 |
| 1.4.2.4 优化版图设计规则 |
| 1.4.2.5 评估工艺设备性能 |
| 1.5 成品率测试结构研究现状 |
| 1.6 论文创新点与论文结构 |
| 第2章 成品率预测与测试结构 |
| 2.1 成品率模型 |
| 2.2 测试结构中常见缺陷类型及关键面积计算 |
| 2.2.1 常见缺陷类型 |
| 2.2.2 关键面积计算 |
| 2.3 常见测试结构 |
| 2.3.1 通孔链测试结构 |
| 2.3.2 电学线宽测试结构 |
| 2.3.3 蛇形测试结构 |
| 2.3.4 梳状测试结构 |
| 2.3.5 蛇形/梳状测试结构 |
| 2.3.6 DRAM、SRAM和晶体管阵列测试结构 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 考虑置信度与估计精度的通孔链测试结构设计方法 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 通孔失效机理和通孔相关的成品率模型 |
| 3.3 考虑置信水平和估计精度的通孔链设计 |
| 3.3.1 总通孔数目 |
| 3.3.2 每个通孔链中的通孔数目 |
| 3.3.3 最优的N和n的求解 |
| 3.4 仿真实验 |
| 3.5 晶圆实验 |
| 3.5.1 试验用通孔测试结构实现 |
| 3.5.2 通孔链测试结构的测试 |
| 3.5.2.1 一般测试流程与测试设备 |
| 3.5.2.2 测试方法 |
| 3.5.3 测试结果数据分析 |
| 3.6 设计讨论 |
| 3.7 本章小节 |
| 第4章 考虑置信度和估计精度的蛇形测试结构设计方法 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 金属失效机理和成品率模型 |
| 4.3 考虑置信水平和估计精度的蛇形测试结构设计 |
| 4.3.1 蛇形测试结构的总面积 |
| 4.3.2 单个蛇形测试结构面积的确定 |
| 4.3.3 最优At和As的确定 |
| 4.4 仿真实验 |
| 4.4.1 仿真方法介绍 |
| 4.4.2 仿真数据结果 |
| 4.5 晶圆实验 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 缺陷群聚效应下栅氧短路缺陷密度的伪晶体管阵列提取法设计 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 栅氧化层短路缺陷原理及模型 |
| 5.3 考虑缺陷群聚效应下的栅氧化层短路缺陷密度提取 |
| 5.4 提出的新测试结构架构与其测试 |
| 5.5 实验结果和讨论 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者筒历及在学期间所取得的科研成果 |
（5）版图转换算法与灵敏度新模型研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路的背景与发展 |
| 1.2 集成电路成品率研究的意义 |
| 1.3 CIF 版图研究的必要性 |
| 1.4 版图灵敏度研究的必要性 |
| 1.5 本文的内容与安排 |
| 第二章 基于随机缺陷的版图优化算法研究的前期准备 |
| 2.1 数学形态学基本算法 |
| 2.1.1 结构元素 |
| 2.1.2 腐蚀和膨胀 |
| 2.1.3 开运算和闭运算 |
| 2.2 缺陷基本理论分析 |
| 2.2.1 冗余物缺陷 |
| 2.2.2 丢失物缺陷 |
| 2.2.3 缺陷的分布模型 |
| 2.3 关键面积 |
| 2.3.1 基本概念 |
| 2.3.2 短路关键面积 |
| 2.3.3 开路关键面积 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 CIF 格式版图转换为 BMP 图像 |
| 3.1 文件结构 |
| 3.1.1 CIF 格式文件 |
| 3.1.2 CIF 格式文件各命令分析 |
| 3.1.3 CIF 文件中四种基本图元 |
| 3.1.4 BMP 格式文件 |
| 3.2 实际版图转换为平面图的算法 |
| 3.2.1 版图图元的转换 |
| 3.2.2 基本思想与总体算法 |
| 3.2.3 运行结果 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 短路开路线网灵敏度新模型 |
| 4.1 现有的短路灵敏度模型 |
| 4.1.1 基于版图信息的短路灵敏度模型 |
| 4.1.2 基于单位芯片上关键面积大小的短路灵敏度模型 |
| 4.2 现有的开路灵敏度模型 |
| 4.2.1 基于单位芯片上关键面积大小的开路灵敏度模型 |
| 4.2.2 基于单位线网的开路灵敏度模型 |
| 4.3 综合灵敏度模型 |
| 4.3.1 基本概念 |
| 4.3.2 综合灵敏度模型 |
| 4.4 模型应用 |
| 4.4.1 基于 NSOS 的版图优化方法 |
| 4.4.2 优化方法性能分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（6）基于丢失物缺陷的开路关键面积减小方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 集成电路成品率 |
| 1.3 论文内容安排 |
| 第二章 工艺缺陷研究 |
| 2.1 缺陷类型 |
| 2.1.1 冗余物缺陷 |
| 2.1.2 丢失物缺陷 |
| 2.1.3 氧化物针孔缺陷和结泄漏缺陷 |
| 2.2 缺陷模型 |
| 2.2.1 缺陷空间分布模型 |
| 2.2.2 缺陷粒径分布模型 |
| 2.2.3 缺陷轮廓模型 |
| 2.3 关键面积概念与分类 |
| 2.3.1 关键面积的概念 |
| 2.3.2 关键面积的分类 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 数学形态学基本理论 |
| 3.1 二值腐蚀和膨胀 |
| 3.1.1 结构元素 |
| 3.1.2 基本概念 |
| 3.2 开和闭运算 |
| 3.2.1 开运算 |
| 3.2.2 闭运算 |
| 3.3 击中击不中变换 |
| 3.4 细化 |
| 第四章 关键面积特征表述和开路关键面积优化算法 |
| 4.1 关键面积的提取方法 |
| 4.2 本文用到的开路关键面积提取方法 |
| 4.3 开路关键面积区域特征描述 |
| 4.3.1 图像边缘提取及边缘链码生成 |
| 4.3.2 开路关键面积区域的尺寸测量与形状分析 |
| 4.3.3 实验结果与结论 |
| 4.4 基于产生开路关键面积区域的开路优化算法 |
| 4.4.1 版图优化与成品率提升 |
| 4.4.2 算法的提出 |
| 4.4.3 算法的验证 |
| 4.4.4 算法的进一步验证 |
| 4.4.5 算法的时间复杂度 |
| 4.5 开路关键面积的优化算法比较 |
| 第五章 开路灵敏度模型比较与应用 |
| 5.1 开路灵敏度模型分析与优缺点 |
| 5.1.1 基于单位芯片的开路灵敏度模型 |
| 5.1.2 基于单位线网的开路灵敏度模型 |
| 5.1.3 基于考虑线网周围空白空间的开路灵敏度模型 |
| 5.1.4 基于版图基本信息的开路灵敏度模型 |
| 5.2 开路灵敏度模型应用的比较 |
| 5.2.1 开路灵敏度模型的待优化线网选取比较 |
| 5.2.2 考虑缺陷粒径对灵敏度模型待优化线网选取影响 |
| 5.3 开路线网优化算法与开路灵敏度模型的结合应用 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（7）集成电路成品率预测技术与面向成品率的设计（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 图目录 |
| 表目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 集成电路生产工艺流程 |
| 1.3 集成电路成品率问题来源 |
| 1.4 随机缺陷的功能成品率预测技术 |
| 1.4.1 成品率模型 |
| 1.4.2 关键面积 |
| 1.5 面向成品率的设计 |
| 1.6 论文的内容和安排 |
| 1.7 本章小结 |
| 第2章 面向成品率的掩模设计软件平台 |
| 2.1 背景介绍 |
| 2.1.1 多项目晶圆的应用 |
| 2.1.2 晶圆切割的局限性 |
| 2.2 研究现状 |
| 2.3 掩模设计算法研究 |
| 2.3.1 布局表达方法 |
| 2.3.2 模拟退火法求解 |
| 2.4 软件的系统架构和使用流程 |
| 2.5 考虑晶圆切割和随机缺陷的掩模设计 |
| 2.5.1 设计流程 |
| 2.5.2 将随机缺陷纳入目标方程 |
| 2.5.3 实验结果及分析 |
| 2.6 支持芯片受约束限制的掩模设计 |
| 2.6.1 设计流程 |
| 2.6.2 芯片的层次化分组与位置约束 |
| 2.6.3 实验结果与分析 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 线形缺陷的成品率预测模型 |
| 3.1 背景介绍 |
| 3.2 线形缺陷模型 |
| 3.3 关键面积提取方法 |
| 3.4 现有的线形缺陷的关键面积提取模型 |
| 3.5 改进的线形缺陷的关键面积提取模型 |
| 3.5.1 改进的线形缺陷的关键面积核 |
| 3.5.2 平均关键面积提取方法 |
| 3.6 不同模型下的平均关键面积对比 |
| 3.7 实验与分析 |
| 3.8 本章小结 |
| 第4章 记忆体的缺陷分析与成品预测方法 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 版图图形失效和记忆体特征失效关联数据库的建立 |
| 4.3 生产线缺陷造成版图图形失效的判断 |
| 4.4 版图图形失效和记忆体特征失效的对应 |
| 4.5 记忆体芯片成品的判断 |
| 4.6 实验分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 论文工作总结 |
| 5.2 今后工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间的研究成果 |
（8）模拟集成电路性能参数建模及其参数成品率估计算法的研究（论文提纲范文）
| 作者简介 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 论文研究背景和意义 |
| 1.1.1 模拟 IC 设计自动化的发展现状 |
| 1.1.2 模拟 IC 设计自动化面临的困难 |
| 1.1.3 基于性能参数模型的电路级设计优化 |
| 1.1.4 参数成品率估计的重要意义与研究现状 |
| 1.2 论文的主要工作 |
| 1.3 论文的章节安排 |
| 第二章 基本理论 |
| 2.1 模拟 IC 电路级自动优化技术概述 |
| 2.1.1 电路优化的数学表述 |
| 2.1.2 基于仿真的电路优化法 |
| 2.1.3 基于模型的电路优化法 |
| 2.1.4 几种常用的优化方法简介 |
| 2.2 宏模型构造的基本方法 |
| 2.2.1 宏模型在工程中的应用 |
| 2.2.2 宏模型构造的步骤 |
| 2.2.3 试验设计技术简介 |
| 2.2.4 宏模型的分类 |
| 2.3 IC 参数成品率估计的理论基础 |
| 2.3.1 IC 制造过程中的参数分散性 |
| 2.3.2 参数成品率的估计 |
| 2.3.3 电路的参数成品率估计与优化 |
| 2.3.4 给定数据的参数成品率估计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 直流工作点驱动的 MOS 器件参数宏模型 |
| 3.1 MOS 器件建模方法分析 |
| 3.2 可应用于模拟 IC 设计的 MOS 器件模型 |
| 3.2.1 标准长沟道器件模型 |
| 3.2.2 考虑了部分短沟道效应的器件模型 |
| 3.2.3 可用在几何规划中器件模型 |
| 3.3 OPD MOS 器件参数宏模型的建立 |
| 3.3.1 建立器件参数宏模型的总体思路 |
| 3.3.2 建模所需的数据的抽样方法 |
| 3.3.3 径向基函数的插值建模 |
| 3.3.4 器件参数宏模型的建立与使用 |
| 3.4 高精度器件参数宏模型的建立实例 |
| 3.5 MOS 器件参数宏模型在模拟 IC 设计中的应用 |
| 3.5.1 低压运算放大器的自动偏置 |
| 3.5.2 运算跨导放大器的电路设计 |
| 3.6 MOS 器件模型使用特点的总结 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 电路性能参数建模及其在电路优化中应用 |
| 4.1 基于原理的电路性能参数模型 |
| 4.1.1 手工推导法 |
| 4.1.2 符号分析方法 |
| 4.2 基于仿真的电路性能参数的宏模型 |
| 4.2.1 一般流程 |
| 4.2.2 LS-SVM 模型 |
| 4.3 器件宏模型在性能参数建模及电路优化中的应用 |
| 4.3.1 基于器件宏模型的电路性能参数建模 |
| 4.3.2 性能参数模型在电路优化中的使用方法 |
| 4.4 低压运放的建模与优化实例 |
| 4.4.1 低压运放的性能方程 |
| 4.4.2 低压运放的 LS-SVM 宏模型 |
| 4.4.3 两种模型在低压运放优化中应用 |
| 4.4.4 两种性能参数模型的优缺点比较 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于数值积分的 IC 成品率估计方法 |
| 5.1 MC 法及其局限性 |
| 5.1.1 MC 法估计成品率的数学原理 |
| 5.1.2 MC 法的缺点 |
| 5.2 方差减少技术 |
| 5.2.1 拉丁超立方体抽样 |
| 5.2.2 重要重抽样 |
| 5.3 基于数值积分的 IC 成品率估计法 |
| 5.3.1 成品率估计的新思路 |
| 5.3.2 Box-Cox 变换 |
| 5.3.3 OA-MLHS |
| 5.3.4 方法的实施步骤 |
| 5.4 基于 Box-Cox 变换和 OA-MLHS 联合提高成品率估计精度的原理 |
| 5.5 成品率估计方法的算例比较 |
| 5.5.1 精度比较的数学指标 |
| 5.5.2 OTA-C 滤波器的成品率估计 |
| 5.5.3 二次性能函数的成品率估计 |
| 5.5.4 成品率估计方法的优缺点总结 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 基于截尾数据的成品率估计方法研究 |
| 6.1 基于截尾数据估计成品率的数学理论 |
| 6.2 截尾样本的检验法 |
| 6.2.1 常用的正态性检验法简介 |
| 6.2.2 正态性检验法识别截尾样本的功效比较 |
| 6.3 基于截尾数据估计成品率的方法分析 |
| 6.3.1 传统的成品率估计方法 |
| 6.3.2 极大似然估计法 |
| 6.3.3 矩估计法 |
| 6.3.4 卡方估计法 |
| 6.4 Box-Cox 变换的适用性讨论 |
| 6.5 基于过程能力指数估计成品率的经验公式 |
| 6.5.1 成品率与过程能力指数的关系 |
| 6.5.2 经验公式的建立及其使用条件 |
| 6.6 应用实例分析与比较 |
| 6.6.1 使用随机模拟的性能比较 |
| 6.6.2 实例验证 |
| 6.6.3 成品率估计方法的优缺点总结 |
| 6.7 本章小结 |
| 第七章 结束语 |
| 7.1 本文的主要贡献 |
| 7.2 后续的工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 博士期间工作成果 |
| 附录 |
（9）基于图像处理技术的开路关键面积提取（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 关键面积研究的背景和意义 |
| 1.2 关键面积的研究内容和现状 |
| 1.3 本论文的内容与安排 |
| 第二章 数学形态学基本理论 |
| 2.1 结构元素 |
| 2.1.1 结构元素类别 |
| 2.1.2 结构元素的组合与多尺度 |
| 2.1.3 结构元素的选取原则 |
| 2.2 膨胀和腐蚀 |
| 2.2.1 图像基本概念 |
| 2.2.2 腐蚀运算 |
| 2.2.3 膨胀运算 |
| 2.2.4 膨胀和腐蚀的代数性质 |
| 2.2.5 膨胀和腐蚀的滤波性质 |
| 2.3 开运算和闭运算 |
| 2.3.1 开运算 |
| 2.3.2 闭运算 |
| 2.3.3 开闭运算的滤波特性 |
| 2.4 击中击不中变换 |
| 2.4.1 击中击不中变换 |
| 2.4.2 目标识别与定位 |
| 2.5 形态学细化 |
| 2.5.1 细化算法 |
| 2.5.2 细化基本原则 |
| 2.6 快速膨胀和腐蚀运算 |
| 2.6.1 膨胀和腐蚀快速算法设计 |
| 2.6.2 膨胀和腐蚀快速算法分析 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 工艺缺陷研究 |
| 3.1 缺陷与故障 |
| 3.2 缺陷模型 |
| 3.2.1 缺陷空间分布模型 |
| 3.2.2 缺陷粒径分布模型 |
| 3.2.3 缺陷轮廓模型 |
| 3.3 缺陷的类型 |
| 3.3.1 氧化物针孔缺陷 |
| 3.3.2 PN 结泄露缺陷 |
| 3.3.3 冗余物缺陷 |
| 3.3.4 丢失物缺陷 |
| 3.4 缺陷特征描述 |
| 3.5 缺陷分解 |
| 3.5.1 缺陷的可分解性 |
| 3.5.2 矩形缺陷的分解 |
| 3.5.3 圆形缺陷的分解 |
| 3.6 缺陷建模 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 基于线网流向轴的开路关键面积提取 |
| 4.1 关键面积 |
| 4.1.1 关键面积基本概念 |
| 4.1.2 关键面积分类 |
| 4.2 基于线网流向轴的开路关键面积计算模型 |
| 4.2.1 开路关键区域与线网边界 |
| 4.2.2 基于线网流向轴的开路关键面积计算模型 |
| 4.3 基于线网流向轴的开路关键面积提取算法 |
| 4.3.1 版图和缺陷的矩阵表示 |
| 4.3.2 缺陷中心 |
| 4.3.3 基于线网流向轴的开路关键面积提取算法 |
| 4.4 开路关键面积提取实验结果 |
| 4.4.1 线网开路关键面积及灵敏度 |
| 4.4.2 集成电路版图开路关键面积提取 |
| 4.5 基于线网流向轴的开路关键面积提取算法分析 |
| 4.5.1 本文算法的精度 |
| 4.5.2 本文算法的适用性 |
| 4.5.3 本文算法的时间复杂度 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 开路关键面积的应用研究 |
| 5.1 版图优化与成品率提升 |
| 5.1.1 成品率模型 |
| 5.1.2 基于关键面积减小的版图优化 |
| 5.2 基于线网宽度调整的版图优化 |
| 5.3 基于线间距离调整的版图优化 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（10）集成电路成品率的版图灵敏度模型研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路成品率研究的意义 |
| 1.2 集成电路制造成品率的研究 |
| 1.3 版图灵敏度的研究意义 |
| 1.4 版图灵敏度模型的研究现状 |
| 1.5 本论文的内容与安排 |
| 第二章 灵敏度模型研究的前期准备 |
| 2.1 缺陷分析 |
| 2.1.1 真实缺陷的测试结构 |
| 2.1.2 缺陷的粒径分布和空间分布 |
| 2.1.3 版图和缺陷的矩阵表示 |
| 2.2 数学形态学算法 |
| 2.2.1 数学形态学基本运算 |
| 2.2.2 数学形态学算法的应用 |
| 2.3 关键面积 |
| 2.3.1 冗余物缺陷和短路关键面积 |
| 2.3.2 丢失物缺陷和开路关键面积 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 反映到单一线网的短路灵敏度模型 |
| 3.1 现有的短路灵敏度模型 |
| 3.1.1 基于版图信息的灵敏度模型 |
| 3.1.2 基于单位芯片上关键面积大小的短路灵敏度模型 |
| 3.2 反映到单一线网的短路线网灵敏度模型 |
| 3.2.1 短路线网灵敏度模型（NSS）的提出 |
| 3.2.2 模型的计算机辅助算法 |
| 3.3 模型的应用 |
| 3.3.1 基于该模型的版图优化方法 |
| 3.3.2 考虑粒径分布的模型应用 |
| 3.3.3 优化方法的性能分析 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 考虑线网周围空白空间的开路灵敏度模型 |
| 4.1 现有的开路灵敏度模型 |
| 4.1.1 基于单位芯片上关键面积大小的开路灵敏度模型 |
| 4.1.2 基于单位线网的开路灵敏度模型 |
| 4.2 考虑线网周围空白空间的开路线网灵敏度模型 |
| 4.2.1 模型提出的依据 |
| 4.2.2 模型的提出 |
| 4.2.3 模型的计算机辅助算法 |
| 4.3 模型的应用 |
| 4.3.1 模型初步验证 |
| 4.3.2 对复杂版图的验证 |
| 4.3.3 模型的性能分析及适用范围 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
四、集成电路功能成品率模型及参数提取方法的研究（论文参考文献）
- [1]宽禁带半导体微波器件机理及其模型研究[D]. 武庆智. 电子科技大学, 2021(01)
- [2]GaN器件大信号模型在MMIC成品率设计中的应用研究[D]. 姚源. 电子科技大学, 2020(07)
- [3]版图灵敏度新模型及提取算法研究[D]. 伍尧. 西安电子科技大学, 2017(04)
- [4]纳米工艺集成电路成品率专用测试结构设计方法研究[D]. 陈利生. 浙江大学, 2014(05)
- [5]版图转换算法与灵敏度新模型研究[D]. 戚苏阳. 西安电子科技大学, 2014(11)
- [6]基于丢失物缺陷的开路关键面积减小方法研究[D]. 李玻玻. 西安电子科技大学, 2014(11)
- [7]集成电路成品率预测技术与面向成品率的设计[D]. 叶翼. 浙江大学, 2013(07)
- [8]模拟集成电路性能参数建模及其参数成品率估计算法的研究[D]. 梁涛. 西安电子科技大学, 2013(10)
- [9]基于图像处理技术的开路关键面积提取[D]. 王乐. 西安电子科技大学, 2013(S2)
- [10]集成电路成品率的版图灵敏度模型研究[D]. 刘士钢. 西安电子科技大学, 2013(S2)