一、日本用碳纳米线圈制成显示器用电子枪（论文文献综述）
张文琪[1]（2020）在《电子束诱导金属结构直写电子源机理研究》文中进行了进一步梳理随着近年来微纳加工技术的不断突破,纳米尺度下的新材料、新结构、新特性成为了广泛关注的研究方向。但是在实现纳米材料与纳米器件的功能化实用化的过程中,成熟稳定的互联工艺对纳米技术的应用至关重要。传统器件互联工艺往往需要通过曝光电路等技术手段提前对器件连接电路进行制备,并且存在高阻抗、自由度低、无法原位加工等问题亟待解决,因此迫切需要一种高性能、高操作自由度的纳米器件互联工艺。电子束诱导直写加工是一种新型的基于物理场的制造方法,其基本原理是通过对电场的操作实现对微纳结构的直写和操作,进而可以达到实现结构直写与器件互联等效果。但该加工工艺目前仍然存在如加工机理与电子源机理尚不明确等一些关键问题亟待解决。为推动新型互联工艺的发展,本文主要从以下几个方面展开研究:1.研究电子束对金属纳米材料的作用,并从电子束热效应的角度讨论电子束辐照下金属纳米颗粒的熔化及运动情况,随后对该分析进行实验验证。成功在透射电镜中使用1.9×106W/cm2功率密度的电子束光斑辐照Cu颗粒,并观察到了其熔化行为。在扫描电子显微镜中使用热功率密度分别为1.53×105 W/cm2和4.9 × 105 W/cm2的两种电子束对金属Cu颗粒进行诱导直实验,后者直写出了54nm线宽、质量百分比32.48%的Cu纳米线。结合实验结果与理论讨论电子束诱导直写的加工方法,提出用于电子束诱导直写的电子源需满足:热功率密度4.9×105W/cm2以上,微米尺寸的工作距离,小于100nm的尖端直径,小于1kV的工作电压等条件。2.针对金属结构直写电子源的理论要求,结合用于电子源的场发射理论进行分析,分析出适用于近场电子束诱导直写的电子源的几个关键参数。经过对比实验发现:长度在3-5μm左右,直径在25nm以内,拥有干净表面并较为笔直的碳纳米管电子源在场发射成功率、机械性能、场发射开启电压和束流稳定电压几个关键指标上具有明显优势。取长度为3.53μm的碳纳米管电子源,束斑直径25nm,500nA时工作电压约为130V,设工作距离1μm时,该电子源最大有效热功率密度可达7.96×107W/cm2。通过测算和比较发现碳纳米管电子源相对于其他常见电子源材料在束斑尺寸、工作阈值电压和电子束流参数上具有明显优势,满足作为诱导金属结构直写的电子源的要求。3.考虑单根碳纳米管电子源在低真空度加工情况下的工作稳定性问题。提出了通过场发射选择沉积技术对碳纳米管尖端进行铂金属壳包覆生长。通过500nA下、共计10min的生长操作,成功在碳纳米管尖端生长出了 374nm的铂金属纳米线,制备出了铂金属包覆的碳纳米管电子源。经测试,所制备电子源可以在3.5×10-3Pa真空度下长时工作近50h,大大提高了单根碳纳米管电子源在低真空度环境下工作的稳定性。由此制备出一种用于电子束诱导金属结构直写的,具有低工作电压、高电流特性的可在低真空度下长时可控工作的电子源。
李栓平[2]（2020）在《Ti/TiO2-DLC薄膜制备与场发射性能研究》文中研究指明类金刚石（Diamond-like Carbon,DLC）薄膜是一种拥有高硬度、低摩擦系数、低电子亲和势、良好的化学和热稳定性的功能材料,在冷阴极材料方面拥有广阔的应用前景。但是由于本身导电性的限制以及表面无特殊尖端形貌使得DLC薄膜的场发射性能受到限制,制约了它在冷阴极材料方面的应用。为了提高DLC薄膜的场发射性能,本文通过磁控溅射镀膜技术与阳极氧化法制备了DLC薄膜、钛掺杂的DLC薄膜以及TiO2-DLC复合薄膜,研究了磁控溅射镀膜的工艺参数、钛掺杂以及TiO2作为负载基底对DLC薄膜结构与场发射性能的影响。主要研究结果如下:（1）通过调控溅射功率和基体负偏压这两个工艺参数发现:随着溅射功率的增大薄膜的开启电场下降,场发射性能提高,当溅射功率为200 W时薄膜的开启电场低至4.77 V/μm,场发射性能最好,超过200 W时,薄膜的开启电场增大,场发射性能开始下降;当基片负偏压增大时,薄膜的开启电场持续下降,场发射性能不断提高,到基片负偏压为110 V时,开启电场低至4.77 V/μm,场发射性能最好。因此,最佳的工艺参数为溅射功率200 W,基底负偏压110 V。（2）采用钛碳复合靶材制备钛掺杂DLC薄膜。研究发现:随着钛掺杂量的增大,薄膜中C-sp3的含量不断下降转化为C-sp2,DLC薄膜的开启电场减小,场发射性能增强,当钛掺杂含量为0.16 wt.%时,薄膜中C-sp3和C-sp2达到一定比例,薄膜的开启电场降到最低值2.40 V/μm,场发射性能最好。当钛掺杂量继续增大时,薄膜的开启电场增大,场发射性能恶化。（3）采用TiO2纳米管负载DLC。研究发现:DLC以非晶碳的形式负载在TiO2纳米管薄膜表面,覆盖了TiO2纳米管的表面尖端,且未与TiO2纳米管形成可靠结合,场发射性能测试表明复合薄膜的场发射电流远差于纯DLC和TiO2纳米管薄膜;因此,使用TiO2纳米管薄膜负载DLC没有促进DLC薄膜的场发射性能,反而使DLC薄膜的场发射性能下降。
韦梦竹[3]（2019）在《用于OLED的石墨烯/金属复合电极研究》文中进行了进一步梳理随着现代移动通信技术、宽带互联网技术、无线互联网技术的飞速发展,世界进入全新的“信息时代”,信息内容日益丰富多彩,作为信息产业的重要构成部分—显示技术在信息技术的发展过程中一直起着十分重要的作用。随着显示技术日新月异的发展,有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode,OLED）以更大的视角、更高的色彩饱和度,更快的响应速度和更节能等优势越来越成为显示技术的主流。随着人们对显示产品需求的提高,OLED显示正朝着可折叠、可弯曲的方向不断发展。因此作为OLED应用最广泛的阳极材料氧化铟锡（ITO）由于其易碎、稀缺等因素正逐渐被其他机械性能优异的阳极材料所替代。目前我们广泛用于替代ITO的柔性透明导电电极的材料选择主要有:金属纳米线,石墨烯,碳纳米管和导电聚合物等。其中,石墨烯以其优异的机械性能,透光性以及导电性能,成为近几年来最受关注的材料之一。然而,由于石墨烯在制备以及转移的工艺原因,石墨烯的导电性能大打折扣,并且其功函数低,使得制备OLED的空穴注入能力差,这成为石墨烯在OLED应用上的一大难题。本文利用化学修饰的方法,将石墨烯浸泡在以硝基甲烷为溶剂的氯化金（AuCl3）溶液中进行化学掺杂处理,通过对处理时间以及采用的试剂浓度的调节与把控,分析改性石墨烯的掺杂原理,对比在不同参数下获得的化学修饰石墨烯的光电性能,制备绿色磷光OLED。测试结果显示,单层石墨烯经过处理后,方块电阻从365Ω/sq下降到190Ω/sq,而光学透过率仅仅下降不到2%。因此,化学掺杂法在不显着影响石墨烯光学透过率的前提下可以有效的降低了石墨烯的表面电阻,增加了石墨烯的载流子浓度。对于有机发光器件来说,基于掺杂的单层石墨烯透明导电电极制备的OLED显示出比由未处理石墨烯制成的器件作为阳极高得多的性能。掺杂石墨烯阳极的OLED的最大亮度增加了135%,最大效率提高了25.2%。
黄宗兴[4]（2019）在《铜基贵金属合金纳米线合成技术及其高效催化燃料电池应用研究》文中研究指明在LED、OLED、手机等电子科技正蓬勃发展的同时,也面临诸多创新性问题有待解决。如光电性能与机械性能优良的透明柔性电极是这些设备需求的关键材料。此外,能源领域也是每一个国家大力扶持发展的重点方向,目前大量使用的石油、天然气与煤炭都是不可再生能源,因此可再生能源的研究将会变得尤为重要,而可再生能源中的燃料电池将会是非常有希望成熟应用的技术。金属铜纳米线网络具有良好的光电性能与机械性能,是作为透明柔性电极的良好应用材料;此外,研究表明铜基贵金属合金纳米线作为燃料电池催化剂表现出很好的活性。针对这些问题,本文从金属铜纳米线表面包裹改性、铜基合金纳米线作为深紫外LED透明电极应用与铜基贵金属合金纳米线作为燃料电池催化剂应用三个方面进行深入探究并取得重要成果。一、建立核壳Cu基纳米线表面改性工程。化学液相法生长出超高长径比的铜纳米线（平均直径～20mn,平均长度～40μm,长径比>2000）,具有优良的光电性能（20Ω方阻下透射率>85%）,成为代替ITO作为新一代透明柔性电极的优良材料。在此项研究基础之上,我们提出一锅、二步法成功实现壳层金属包裹,对铜纳米线进行表面改性,分布通过包裹Ni、Pt金属等提高抗氧化性,可实现在空气中数月保持光电性能稳定;通过包裹贵金属铂、钯等制备新型电化学催化剂;通过包裹不同功函数金属拓展了铜纳米线的功函数可调范围。为更广泛的光电应用及性能拓展建立了材料合成工程学基础。二、铜镍铂三元合金纳米线的高效燃料电池催化剂。主要研究了直接甲醇燃料电池与直接乙醇燃料电池的催化剂应用。在直接甲醇燃料电池中,我们通过调控合金纳米线中的铂含量,得到其中39.5%铂含量的铜镍铂三元合金纳米线表现出最佳催化活性,其面积催化活性达到商用碳载铂的5.7倍,质量活性是商用碳载铂的2.5倍。在直接乙醇燃料电池中,10.5%铂含量的铜镍铂三元合金纳米线表现出最佳催化活性,其面积催化活性达到商用碳载铂的2.3倍,质量活性是商用碳载铂的1.26倍。合金化的纳米线催化剂不仅提高了铂的催化活性,而且可以通过合金化减少贵金属铂的使用来降低燃料电池成本,为燃料电池的大面积商业化应用提供可能性。三、可调功函数铜纳米线的深紫外LED应用。提出一锅、两步法合成核壳Cu纳米线,利用包裹不同功函数壳层金属,可实现4.3 eV至5.6 eV大范围连续可调功函数。将具有高功函数（5.65 eV）的铜铂合金纳米线网络,转移至p型AlGaN上,在800℃退火条件下成功实现低电阻的欧姆接触,为该领域重要突破。并将其制备为深紫外LED的透明电极应用,测得该深紫外LED在280 nm处的EL发光光谱,并测得开启电压在6.5 V,实现正面发光深紫外LED芯片制备。本论文的几项研究成果对铜基纳米线进行深入研究,创新性的应用于可再生能源的燃料电池领域,为铜基纳米线打开新的应用方向;此外,在透明电极领域可根据不同的电极需求调控铜基纳米线的表面元素结构,为透明柔性电极提供了新的解决方案。
郭东洋[5]（2017）在《碳纳米管阴极薄膜的制备及其场发射性能研究》文中研究指明碳纳米管自被发现以来,由于其具有特殊的构造、优秀的各项性能以及潜力巨大的应用前景而引发科技界的广泛关注,被誉为新世纪材料革命的引发剂。碳纳米管由于其自身有着纳米级别的尖端以及极高的纵横比等优异特点,使得其在作为场发射阴极制作材料之中拥有十分巨大的优势,是一种潜力巨大的场发射阴极材料。本文首先介绍了碳纳米管场发射阴极国内外的研究现状,接着详细介绍了碳纳米管,包括碳纳米管的分类、性能、制备以及应用,并就场发射理论作了详细深入的研究,还对碳纳米管场发射器件以及场发射器件的应用作了深入的介绍。然后,本文通过使用丝网印刷法以及旋转涂覆法制备出了碳纳米管阴极薄膜,对浆料的配比以及制作工艺等进行了研究,并对制备的碳纳米管薄膜进行了场发射性能测试。最后,通过使用热处理以及毛刷法综合后期处理方法对碳纳米管薄膜进行处理,来提高其场发射性能。根据场发射性能测试以及扫描电子显微镜分析,得出以下研究结果:1、采用丝网印刷法得到的碳纳米管阴极薄膜,通过对其进行场发射性能测试,发现其开启电压为2.22 V/μm,当电场强度为4.44 V/μm时,场发射电流密度为300μA/cm2。2、相同浆料配比条件下,采用旋转涂覆法制备出的碳纳米管阴极薄膜,测试后发现其场发射性能有了明显的改善。开启电压由2.22 V/μm降为1.90V/μm,在4.4 V/μm的电场强度下,电流密度从300μA/cm2上升为450μA/cm2。3、采用旋转涂覆法制备碳纳米管薄膜,并对碳纳米管薄膜进行热处理以及毛刷法处理,结果显示,经过后处理的碳纳米管阴极薄膜电流密度在相同的条件下（4.4V/μm）从450μA/cm2上升至1000μA/cm2,并且在场发射测试中的发光亮度与密度均有了极大的提升。
杨欢[6]（2015）在《碳纳米管冷阴极返波管研究》文中指出碳纳米管（CNT）具有优良的场致发射特性,是冷阴极器件的理想阴极材料。为发展碳纳米管冷阴极微波、毫米波电真空辐射源器件,本文对碳纳米管冷阴极的场发射特性进行了研究,设计了一只可工作于8mm波段的碳纳米管冷阴极返波振荡器。主要工作内容如下:（1）对直径为4mm的圆形平面阴极进行了实验测试,获得其最大发射电流密度为127mA/cm2。在实验的基础上,结合粒子模拟软件CST建立了大面积碳纳米管冷阴极的场发射模型。研究了栅网结构对碳纳米管冷阴极场发射性能的影响,获得了矩形栅网结构的优化尺寸,当d=0.1mm,D=4d时,阴极的发射性能较好,电子注通过率约为60%。（2）设计了栅控结构的碳纳米管冷阴极带状注电子枪。分析了栅网结构、阳极电压、聚焦磁场等参数对带状注电子枪性能的影响。优化结果表明该电子枪在阴栅间距0.25mm,栅网电压2.5kV时,能产生工作电压在18kV,电流为1.5A,注半径为0.35mm,电流密度高达17.2A/cm2的带状电子注。（3）结合本征求解法对金属矩形双栅慢波结构的色散特性进行了推导和研究,利用三维粒子模拟软件CST设计了可工作于8mm波段的金属矩形双栅慢波结构。（4）将碳纳米管冷阴极用作返波管的粒子发射源,通过软件Magic和CST仿真设计了可工作于8mm波段的碳纳米管冷阴极返波管。仿真结果表明,该碳纳米管冷阴极返波管能产生工作频率为33.95GHz,输出功率为2.35kW,效率达8.73%的返波信号。
伊兰[7]（2014）在《碳纳米管薄膜场发射显示器的制备及其性能研究》文中研究指明在现今信息化的社会,显示技术在各个领域中占据重要的地位,显示技术的进一步发展将为社会创造更大的财富,因而高性能、低成本的显示技术成为21世纪研究的新热点。碳纳米管以其高的长径比、大的比表面积、稳定的化学性质、良好的导电性等性质,成为显示领域首选的新材料。碳纳米管在众多领域中具有多方面的应用,它能用于电容器、电池电极、半导体器件、复合材料等。本文主要介绍了碳纳米管的起源和分类、纳米管的性质和在各个领域中的应用,并分析了场致电子发射原理。碳纳米管的制备方法主要有化学气相沉积法、电弧放电法和激光烧蚀法,其中本文着重强调化学气相沉积法。本文还介绍了碳纳米管的表征方法,主要有扫描电子显微镜、透射电子显微镜和拉曼光谱仪。本文采用丝网印刷技术,制成碳纳米管阴极薄膜,制备工艺简单、发射效果好、易实现产量化。文中阐述了碳纳米管场发射显示器制备的整个流程,并着重强调场发射显示器性能的改善,详细论述了等离子体处理和3M胶带处理阴极薄膜的处理方法和处理后的结构比对、分析,以及对比了不同形貌的碳纳米管制成的阴极薄膜后的场发射性能,从而得到制备碳纳米管场发射显示器的最优方案。本课题的研究尚存在电流密度不够大、发光均匀性有待提高、稳定性待增强等不足,本实验组将通过改善丝网印刷浆料的配方和工艺、提高电流的稳定性和发光的均匀性入手,逐步的提高场发射性能,从而实现碳纳米管场发射显示器的产量化。
马礼敦[8]（2014）在《X射线晶体学的百年辉煌》文中研究指明自1912年劳厄发现X射线晶体衍射现象,小布拉格开创X射线晶体学以来,已经过去了100年。这一发现,对人类科学的发展,特别是微观结构科学的影响至为巨大,具有里程碑的意义。在这100年中,X射线晶体学发展迅速,成果累累。本文按主要实验技术的特点将100年大致分为四个阶段,从单晶体衍射、多晶体衍射和X射线光谱三个方面简述其主要进展和成果。并简单概括了她对物理学、晶体学、化学和生物学等基础学科和材料、医药、环境等多个应用学科的重大影响。最后,还预期了X射线晶体学领域的一些可能发展,包括无比强大的光源—硬X射线自由电子激光、多维晶体学、电子晶体学、数学晶体学、三维X射线衍射显微学等领域。作者相信,X射线晶体学在过去的一个世纪中已经取得了那么多的成就,在已来临的新世纪中将会获得更大的成绩。
杨万昌[9]（2009）在《纳米金刚石场发射显示器专用电源和驱动控制系统的研制》文中认为场致发射显示器件（FED）作为新一代自主发光型平板显示器,它几乎兼具阴极射线管显示器（CRT）和其他平板显示器的优点,具有广阔的应用前景,是当前平板显示器研究的热点。目前研究主要集中在阴极材料上,而FED产业的迅速发展离不开配套驱动电路的发展,驱动电路研究的相对滞后,制约着FED产业化的进程。本文在纳米金刚石涂层场发射阴极研究的基础上,以4英寸纳米金刚石FED显示屏为目标,结合该阴极的性能参数,通过对不同电源类型和电路拓扑结构的分析,选择反激式开关电源拓扑作为FED专用电源的基本拓扑,并设计了32×32点阵的纳米金刚石FED驱动电路。设计的专用电源以脉宽调制器件UC3842为核心,包括电磁干扰（EMI）滤波电路、输入整流滤波电路、反激式变压器、RCD缓冲电路、过流保护电路、反馈稳压电路、PWM控制电路以及输出整流滤波电路等。在设计过程中,理论计算和软件仿真相结合,确定了所需的电路参数,以此选择元器件。预期目标是实现5V/500mA、15V/500mA和2000V/15mA三路输出。最后给出了电源电路的原理图仿真和硬件实物调试结果,所得结果与预期设计目标基本相符。驱动电路以AT89S51为核心,包括逻辑控制单元、行列寻址单元、光耦隔离单元和电平转换单元等。在分析了各个模块的功能和实现方法的基础上,以集成数据驱动芯片HV632PG和译码器74HC154为核心,设计了灰度调制和扫描显示电路;以半桥驱动芯片IR2235和光耦隔离芯片TLP521-4为核心,设计了电平转换电路和高低压隔离电路。所设计的驱动电路输出电压达2000V,能够实现256灰度等级的调制以及简单图形或字符的动态显示。针对设计的驱动电路所要实现的功能,运用汇编语言编写了相应的程序,在KeilμVision3环境下进行编译和调试,通过XLISP下载软件下载到单片机中,并在LED显示屏上验证了字符动态扫描的显示效果。
乔宪武[10]（2009）在《碳纳米管场发射性质的研究》文中研究表明场发射显示器（Field Emission Display,FED）具有轻薄、功耗小、图象质量好等优越特性,被认为是下一代理想的平板显示器。碳纳米管的发现,引起了全世界众多科学家的关注,其优异的电学、力学、磁学性能,可以在许多领域得到应用。尤其是它具有大的长径比,低功函数,良好的导电性和纳米级尖端,使它能够在较低的电压下就能长时间发射电子,因此被认为是一种优良的场发射阴极。随着碳纳米管的发现,基于丝网印刷技术的碳纳米管场致发射显示器件成为目前平板显示领域的研究热点。器件性能提高的关键是碳纳米管基冷阴极场致发射特性的改善,而更基本的是开发满足器件要求的可印制的碳纳米管基冷阴极材料。器件实用化的关键则是提高大面积场致发射的均匀性和稳定性。在总结场致发射技术进展和大量前期实验的基础上,本论文的研究工作首先从碳纳米管的提纯和分散技术开始,之后重点进行可印制的碳纳米管基冷阴极材料的开发,以及丝网印刷厚膜技术制备二极结构碳纳米管场致发射显示器件的工艺研究,最后对实验现象和测试结果进行理论分析和解释。提出在层流场中定向排列碳纳米管的技术,并计算了在层流场中、电场中、强磁场中重新定向排列的机理,用机械拉伸法将碳纳米管均匀分散并定向排列在PMMA中得到各向异性且力学性能和电学性能优异的CNTs/PMMA复合材料。此实验结果证明机械拉伸法与层流场中定向排列碳纳米管的理论预测相符。垂直于栅极冷阴极碳纳米管六角密排结构场发射显示器有广阔的应用前景。本文通过解拉普拉斯方程的方法理论模拟了这一结构的场发射性质。计算结果表明:越靠近碳纳米管尖端电场强度越强;通过减小栅极孔径可以提高场发射电流密度;栅极孔的作用是使场发射电流集中到碳纳米管尖端;提高阴阳极板电压和减小阴阳极板间距也可以有效提高电场强度。本论文对碳纳米管丝网印刷技术以及碳纳米管场发射理论进行了深入的研究。为可印制碳纳米管冷阴极的研制提供了新思路,对实现碳纳米管场发射显示器早日实用化具有重要意义。
二、日本用碳纳米线圈制成显示器用电子枪（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、日本用碳纳米线圈制成显示器用电子枪（论文提纲范文）
（1）电子束诱导金属结构直写电子源机理研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景与研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 电子束诱导加工技术 |
| 1.2.2 碳纳米管场发射电子源 |
| 1.3 课题主要研究内容和论文框架 |
| 第二章 电子束诱导直写加工机理 |
| 2.1 电子束直写对材料表面作用 |
| 2.2 金属纳米颗粒操作受力分析 |
| 2.2.1 电子束热源分布模型及测算 |
| 2.2.2 金属纳米颗粒的热传递 |
| 2.2.3 颗粒的熔融计算及实验验证 |
| 2.2.4 电子束诱导金属结构方法研究 |
| 2.3 电子束直写验证实验 |
| 2.3.1 电子束诱导实验 |
| 2.3.3 纳米线直写实验结果分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 碳纳米管场发射电子源 |
| 3.1 电子源理论基础 |
| 3.1.1 金属场发射理论 |
| 3.1.2 碳纳米管电子源 |
| 3.2 碳纳米管电子源制备及测试 |
| 3.2.1 碳纳米管电子源制备实验 |
| 3.2.2 场发射电子源特性测试 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 铂金属包覆的碳纳米管电子源 |
| 4.1 场发射选择沉积 |
| 4.2 电子源保护机理 |
| 4.3 铂金属包覆的碳纳米管电子源的制备 |
| 4.4 电子源低真空长时测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 课题展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论着、论文 |
| 致谢 |
（2）Ti/TiO2-DLC薄膜制备与场发射性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 场发射显示器简介 |
| 1.2 场发射阴极材料的发展 |
| 1.2.1 传统的场发射阴极材料 |
| 1.2.2 金刚石薄膜 |
| 1.2.3 DLC薄膜 |
| 1.2.4 碳纳米管薄膜 |
| 1.2.5 TiO_2纳米管薄膜 |
| 1.3 场致电子发射基本理论 |
| 1.3.1 场致发射的基本概念 |
| 1.3.2 场致电子发射理论 |
| 1.4 课题的提出及研究内容 |
| 第二章 实验方法及过程 |
| 2.1 实验整体方案 |
| 2.2 实验设备和材料 |
| 2.2.1 实验设备 |
| 2.2.2 实验材料 |
| 2.3 实验步骤 |
| 2.4 表征方法及性能测试 |
| 2.4.1 薄膜的结构和成分表征 |
| 2.4.2 薄膜的性能测试 |
| 第三章 工艺参数对DLC薄膜结构与场发射性能的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 溅射功率对DLC薄膜结构和场发射性能的影响 |
| 3.2.1 DLC薄膜的SEM截面形貌 |
| 3.2.2 DLC薄膜的AFM表面形貌 |
| 3.2.3 DLC薄膜的微结构(Raman) |
| 3.2.4 DLC薄膜的场发射性能 |
| 3.3 基片负偏压对DLC薄膜结构和场发射性能的影响 |
| 3.3.1 DLC薄膜的SEM截面形貌 |
| 3.3.2 DLC薄膜的AFM表面形貌 |
| 3.3.3 DLC薄膜的微结构(Raman) |
| 3.3.4 DLC薄膜的场发射性能 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 钛掺杂DLC薄膜的制备及场发射性能的研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 钛掺杂量对DLC薄膜结构和场发射性能的影响 |
| 4.2.1 DLC薄膜的SEM截面形貌 |
| 4.2.2 DLC薄膜的AFM表面形貌 |
| 4.2.3 DLC薄膜的微结构(Raman) |
| 4.2.4 DLC薄膜的场发射性能 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 TIO_2-DLC复合薄膜的制备及场发射性能的研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 TIO_2-DLC薄膜的结构和场发射性能 |
| 5.2.1 TiO_2-DLC薄膜的相结构 |
| 5.2.2 TiO_2-DLC薄膜的SEM形貌 |
| 5.2.3 TiO_2-DLC薄膜的X射线光电子能谱 |
| 5.2.4 TiO_2-DLC薄膜的场发射性能 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间的学术成果 |
| 致谢 |
（3）用于OLED的石墨烯/金属复合电极研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 现代显示技术的发展历程 |
| 1.2 OLED发展及其电极材料 |
| 1.2.1 OLED发展 |
| 1.2.2 柔性OLED电极材料 |
| 1.3 课题研究意义与研究内容 |
| 1.3.1 研究意义 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 第二章 石墨烯/金属复合电极的制备 |
| 2.1 石墨烯制备方法 |
| 2.1.1 液相剥离法 |
| 2.1.2 氧化还原法 |
| 2.1.3 SiC热解外延生长法 |
| 2.1.4 化学气相沉积法 |
| 2.2 化学修饰石墨烯的理论分析 |
| 2.3 石墨烯/金属复合电极制备实验 |
| 2.3.1 试剂与仪器 |
| 2.3.2 实验过程 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 石墨烯/金属复合电极的性能表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 仪器介绍及使用 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜及X射线能谱 |
| 3.2.2 四探针方阻测试仪 |
| 3.2.3 紫外-可见-近红外分光光度计 |
| 3.2.4 原子力显微镜 |
| 3.3 实验数据与结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 复合电极在OLED器件上的应用 |
| 4.1 OLED结构与原理 |
| 4.2 OLED制备方法 |
| 4.3 复合电极OLED制备及性能指标测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 硕士期间论文收录情况 |
（4）铜基贵金属合金纳米线合成技术及其高效催化燃料电池应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 燃料电池研究发展现状 |
| 1.3 金属纳米线研究热点与难题 |
| 1.4 论文框架 |
| 第二章 实验方法与表征技术 |
| 2.1 实验方法 |
| 2.1.1 纳米线材料的液相合成方法 |
| 2.1.2 循环伏安测试法 |
| 2.1.3 金属有机化学气相外延(MOCVD) |
| 2.2 表征技术 |
| 2.2.1 金相显微镜 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 |
| 2.2.4 X射线衍射仪(XRD) |
| 2.2.5 四探针测试仪(Four-Point Probes) |
| 2.2.6 紫外可见分光光度计(UV-VIS) |
| 2.2.7 电致发光性能测试(EL) |
| 2.2.8 光致发光光谱测试(PL) |
| 2.2.9 X射线光电子能谱测试(XPS) |
| 2.2.10 紫外光电子能谱测试(UPS) |
| 2.2.11 电化学工作站(EW) |
| 第三章 铜基多元贵金属合金纳米线的快速合成技术 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 金属纳米线的制备方法 |
| 3.3 铜基二元贵金属纳米线的制备技术 |
| 3.3.1 研究背景 |
| 3.3.2 纯铜纳米线的制备与表征 |
| 3.3.3 Cu@Pt合金纳米线的制备与表征 |
| 3.3.4 Cu@Pd合金纳米线的制备与表征 |
| 3.4 铜基多元合金纳米线的制备与表征 |
| 3.4.1 铜镍铂三元合金纳米线 |
| 3.4.2 铜镍钯三元合金纳米线 |
| 3.4.3 铜镍铂钯四元合金纳米线 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 铜镍铂三元合金纳米线作为燃料电池的高效催化剂 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.1.1 燃料电池的结构原理 |
| 4.1.2 燃料电池的种类 |
| 4.2 铜镍铂合金纳米线的高效甲醇燃料电池催化 |
| 4.2.1 直接甲醇燃料电池综述 |
| 4.2.2 直接甲醇燃料电池的催化剂种类与研究现状 |
| 4.2.3 催化剂与工作电极的制备 |
| 4.2.4 电化学实验测试系统 |
| 4.2.5 不同碳黑比含量对催化性能的影响 |
| 4.2.6 不同合金含量的电化学性能研究 |
| 4.3 铜镍铂三元合金纳米线的高效乙醇燃料电池催化实验 |
| 4.3.1 直接乙醇燃料电池的优势与反应机理 |
| 4.3.2 直接乙醇燃料电池阳极催化剂分类 |
| 4.3.3 铜镍铂三元合金纳米线的乙醇燃料电池催化反应 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 功函数可调铜基纳米线的深紫外LED |
| 5.1 研究背景 |
| 5.1.1 深紫外LED的发展与应用 |
| 5.1.2 深紫外LED的问题瓶颈与性能改善 |
| 5.1.3 深紫外LED欧姆电极 |
| 5.2 可调功函数透明欧姆电极的制备 |
| 5.2.1 高功函数铜合金纳米线电极 |
| 5.2.2 纳米线与p型AlGaN欧姆接触的实现 |
| 5.3 高功函数纳米线作为深紫外LED透明电极 |
| 5.3.1 深紫外LED结构 |
| 5.3.2 深紫外LED欧姆电极制备与光电性能探究 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 硕士期间发表的文章 |
| 致谢 |
（5）碳纳米管阴极薄膜的制备及其场发射性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 场发射阴极发展现状 |
| 1.2 碳纳米管场发射阴极的研究进展 |
| 1.3 碳纳米管场发射阴极的研究意义 |
| 1.4 本文研究的主要内容 |
| 2 碳纳米管的场发射理论研究 |
| 2.1 碳纳米管概述 |
| 2.1.1 碳纳米管的分类 |
| 2.1.2 碳纳米管的性能 |
| 2.1.3 碳纳米管的制备 |
| 2.1.4 碳纳米管的应用 |
| 2.2 场发射理论 |
| 2.2.1 电子发射的原理 |
| 2.2.2 第一原理 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.2.4 Kohn-Sham理论 |
| 2.2.5 F-N理论 |
| 2.3 碳纳米管场致发射 |
| 2.3.1 碳纳米管场发射器件 |
| 2.3.2 碳纳米管场发射器件的应用 |
| 3 丝网印刷法制备碳纳米管场发射阴极 |
| 3.1 丝网印刷法概述 |
| 3.1.1 丝网印刷法的原理 |
| 3.1.2 丝网印刷法的优点 |
| 3.1.3 丝网印刷的手工工艺 |
| 3.1.4 影响丝网印刷碳纳米管薄膜性能的因素 |
| 3.2 丝网印刷法制备碳纳米管薄膜 |
| 3.2.1 实验所用的试剂以及实验设备 |
| 3.2.2 印刷浆料的配置 |
| 3.2.3 碳纳米管阴极的印刷 |
| 3.3 薄膜表面形貌分析 |
| 3.4 丝网印刷法制得碳纳米管薄膜场发射性能测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 旋转涂覆法制备碳纳米管场发射阴极 |
| 4.1 旋转涂覆法 |
| 4.2 旋转涂覆法制备碳纳米管场发射极薄膜 |
| 4.2.1 实验仪器 |
| 4.2.2 碳纳米管阴极的制备 |
| 4.3 丝网印刷法和旋转涂覆法制得碳纳米管薄膜场发射性能比较 |
| 4.4 热处理以及毛刷法对碳纳米管薄膜场发射性能的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
| 致谢 |
（6）碳纳米管冷阴极返波管研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 场致发射冷阴极的发展和应用 |
| 1.1.1 冷阴极和热阴极优缺点对比 |
| 1.1.2 场致发射冷阴极的发展 |
| 1.1.3 场致发射冷阴极的应用 |
| 1.2 带状注器件的研究进展 |
| 1.3 返波振荡器的研究进展 |
| 1.4 本文的主要工作与结构安排 |
| 第二章 碳纳米管阴极仿真与实验研究 |
| 2.1 场致发射机理 |
| 2.2 碳纳米管冷阴极实验研究 |
| 2.3 大面积碳纳米管冷阴极场发射特性仿真研究 |
| 2.4 栅网结构对碳纳米管场致发射特性和电子注通过率的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 碳纳米管冷阴极带状注电子枪研究 |
| 3.1 电子枪理论 |
| 3.2 Pierce电子枪的主要参量 |
| 3.3 碳纳米管冷阴极带状注电子枪的设计 |
| 3.3.1 阳极电压对电子注聚束的影响 |
| 3.3.2 带状电子注的磁聚焦设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 8mm波段金属矩形双栅慢波结构的设计 |
| 4.1 金属矩形双栅慢波结构的色散方程 |
| 4.2 金属矩形双栅慢波结构的耦合阻抗 |
| 4.3 8mm波段金属矩形双栅慢波结构的设计和研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 8mm波段碳纳米管冷阴极返波管设计 |
| 5.1 返波管理论 |
| 5.1.1 返波管基本工作原理 |
| 5.1.2 返波管负色散空间行波条件 |
| 5.1.3 宽频带电子调谐的条件 |
| 5.2 驻波互作用区仿真研究 |
| 5.2.1 互作用区结构设计及Magic仿真 |
| 5.2.2 慢波结构周期数对返波振荡的影响 |
| 5.2.3 部分电子注发射对返波振荡的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（7）碳纳米管薄膜场发射显示器的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 碳纳米管(Carbon Nanotube,CNT)简介 |
| 1.1.1 碳纳米材料概述 |
| 1.1.2 碳纳米管的发现 |
| 1.1.3 碳纳米管的分类 |
| 1.1.4 碳纳米管的性能 |
| 1.1.5 碳纳米管的应用 |
| 1.2 场致电子发射原理 |
| 1.2.1 场发射效应 |
| 1.2.2 隧道效应 |
| 1.2.3 Fowler-Nordheims遂穿理论(F-N理论) |
| 1.3 本论文的研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 碳纳米管的制备、表征及场发射原理 |
| 2.1 碳纳米管的制备和生长机理 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 |
| 2.1.2 电弧放电法 |
| 2.1.3 激光烧蚀法 |
| 2.2 碳纳米管的表征 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.2 透射电子显微镜 |
| 2.2.3 拉曼光谱仪 |
| 2.3 碳纳米管的场发射原理 |
| 参考文献 |
| 第三章 场发射显示器的制备及性能的提高 |
| 3.1 显示技术概述 |
| 3.2 浆料的制备 |
| 3.2.1 碳纳米管浆料的制备 |
| 3.2.2 荧光粉浆料的制备 |
| 3.3 器件制作 |
| 3.3.1 器件结构类型的选取 |
| 3.3.2 动态显示 |
| 3.3.3 膜层的制备 |
| 3.3.4 场发射薄膜显示器的装备图 |
| 3.3.5 电极的引出式样图 |
| 3.3.6 最终拼接技术 |
| 3.4 荧光粉膜层的性能优化 |
| 3.5 阴极薄膜的优化处理及不同形貌的CNT阴极薄膜的场发射效果比对 |
| 3.5.1 等离子体优化处理和3M胶带粘附碳管表面处理效果比对 |
| 3.5.2 不同形貌的MWCNT阴极薄膜场发射效果比对 |
| 3.5.3 SWCNT阴极薄膜和SM1阴极薄膜场发射效果比对 |
| 3.6 结论与分析 |
| 参考文献 |
| 第四章 总结 |
（8）X射线晶体学的百年辉煌（论文提纲范文）
| 目录 |
| I. X射线衍射的发现与早期历史 |
| A. 劳厄厄发现X射线衍射 |
| B. 布布拉格父子的成就 |
| C. 其他几位科科学家的重要贡献 |
| D. 实验技术的发展 |
| 1. 劳厄相机 |
| 2. X射线电离分光计 |
| 3.X射线粉末衍射 (X-ray powder diffraction XPD) |
| 4. 新型X射线管 |
| II. X射线衍射技术和应用的发展 |
| A. 初期阶段—照相时代: |
| 1. 单晶体衍射 |
| 2. 粉末衍射 |
| 3.X射线光谱 |
| B. 中中期阶段—计数器衍射仪时代 |
| 1. 单晶体衍射 |
| 2.粉末衍射 |
| 3. X射线光谱 |
| C. 近代—计算机应应用时代 |
| 1. 单晶体衍射 |
| (1) 国际结晶学联合会 (Interantional Union of Crystallography简称IUCr) 。http://www.iucr.org/ |
| (2) 剑桥结构数据库 (Cambridge Structure Database简称CSD) :http://www.ccdc.cam.ac.uk/ |
| (3) 无机化合物晶体结构数据库 (Inorganic Crystal Structure Database ICSD) http://icsd.fiz-karlsruhe.de |
| (4) 蛋白质数据银行 (Protein Data Bank PDB) http://www.rcsb.org/pdb/ |
| (5) 晶体学公开数据库 (Crystallography Open Database COD) http://www.crystallography.net |
| 2. 粉末衍射 |
| (1) 国际衍射数据中心 (International Centre for Diffraction Data, ICDD) http://www.icdd.com |
| (2) 粉末衍射专业委员会 ( Commission on Powder Diffraction, CPD) http : //www.iucr.org/iucr - top/comm/cpd/ |
| (3) 国际X射线分析学会 (International X-ray Analysis Society, IXAS) http : //www.ixas.org |
| 3. X射线光谱 |
| D.现代—高高强X射线源与二维探测器时代 |
| 1. 实验装置的发展 |
| a. 同步辐射光源的使用[36] |
| b. 加工X射线光束的光学元件的发展[37] |
| c. 非点探测器的发展与应用[37] |
| 2. X射线衍射和相关技术的发展 |
| a. 单晶体衍射结构分析方法 |
| b. 多晶体衍射结构分析方法 |
| c. X射线光谱—XAFS |
| d. 表面、界面与深度分辨的分析 |
| e. 原位与极端条件下的衍射 |
| f. 共振X射线衍射 |
| g. 倒易空间绘图[68] |
| h. 微区衍射 |
| i. X射线成像 |
| 1. 吸收衬度 |
| 2 相位衬度 |
| j. X射线显微镜 |
| (1) NEXAFS显微镜 |
| (2) 光电子发射显微镜 |
| (3) X射线全息显微术[84] |
| III. X射线晶体学对其它学科的影响 |
| A. 物理学 |
| B. 晶体学, 矿物学和地质科学 |
| C. 化学 |
| D. 生物学 |
| E. 医医药学 |
| F. 环境科学 |
| G. 材料科学 |
| H. 非周期性材料的结构研究 |
| 1. 无定型材料的结构研究 |
| 2. 无公度晶体结构研究 |
| 3. 准晶体 |
| IV. 今后可能的一些发展方面 |
| A. 具有相干性的强X光源会给X射线衍衍射带来新的发展机遇 |
| B. 多多维晶体学 (multi-dimensional crystallography) |
| C. 电子晶体学 (Electron Crystallography) 中子晶体学 |
| 1. 电子衍射测定晶体结构 |
| 2. 高分辨透射电子显微成像 (HRTEM) 解晶体结构 |
| 3. 电子X射线荧光观察单个原子 |
| 4. 中子衍射测定晶体结构 |
| D. 数学和计算晶体学 |
| E. 三三维X射线衍射显微学 (three-dimensional X-ray diffraction microscopy 3DXDM) |
| 1. 衍射衬度与显微形貌术 (topography) |
| 2. X射线衍射衬度层析术 (X-ray diffraction contrast tomography DCT) |
| 3. 衍射 (散射) 显微计算层析术 (Diffration (scattering) microcomputed tomography DMCT) |
（9）纳米金刚石场发射显示器专用电源和驱动控制系统的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 FED发展概述 |
| 1.2 FED驱动电路研究现状 |
| 1.3 课题研究目的和内容 |
| 第二章 FED器件特性及其驱动原理 |
| 2.1 FED阴极场发射理论 |
| 2.2 纳米金刚石涂层场发射阴极特性及驱动参数 |
| 2.3 FED器件结构及驱动方式 |
| 2.4 纳米金刚石涂层显示驱动原理 |
| 第三章 FED专用直流电源的设计 |
| 3.1 直流电源电路结构的选择 |
| 3.1.1 线性电源概述 |
| 3.1.2 开关电源概述 |
| 3.1.3 线性电源与开关电源比较 |
| 3.2 开关电源主电路结构的选择 |
| 3.2.1 非隔离式开关电源主回路拓扑结构 |
| 3.2.2 隔离式开关电源主回路拓扑结构 |
| 3.2.3 开关电源各种拓扑结构的比较 |
| 3.3 单端反激式开关电源设计 |
| 3.3.1 相关指标和参数计算 |
| 3.3.2 EMI滤波电路设计 |
| 3.3.3 输入整流滤波电路设计 |
| 3.3.4 反激式变压器设计 |
| 3.3.5 RCD缓冲电路设计 |
| 3.3.6 过流保护电路设计 |
| 3.3.7 反馈稳压电路设计 |
| 3.3.8 PWM控制电路设计 |
| 3.3.9 输出整流滤波电路设计 |
| 3.3.10 完整的电源电路原理图与PCB版图设计 |
| 3.4 原理图仿真与硬件实物测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 32×32点阵FED驱动电路设计 |
| 4.1 点阵FED驱动系统的组成和工作原理 |
| 4.1.1 点阵FED驱动电路系统的组成 |
| 4.1.2 点阵FED驱动原理及寻址方式 |
| 4.2 32×32点阵FED驱动电路硬件部分设计 |
| 4.2.1 驱动电路硬件系统结构 |
| 4.2.2 逻辑控制单元设计 |
| 4.2.3 行寻址电路设计 |
| 4.2.4 列驱动电路设计 |
| 4.2.5 光耦隔离电路设计 |
| 4.2.6 输出级与电平转换电路设计 |
| 4.2.7 完整的驱动电路原理图和PCB版图设计 |
| 4.3 32×32点阵FED驱动电路软件部分设计 |
| 4.3.1 灰度调制原理与实现 |
| 4.3.2 字符点阵显示原理 |
| 4.3.3 字符点阵生成工具 |
| 4.3.4 动态字符显示程序设计 |
| 4.3.5 程序开发工具 |
| 4.3.6 驱动电路显示效果 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与回顾 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 附录1: 专用电源硬件实物 |
| 附录2: 驱动电路硬件实物 |
| 在读期间发表论文 |
| 致谢 |
（10）碳纳米管场发射性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章:场发射显示器的研究概况 |
| 1.1 场发射显示器的研究 |
| 1.1.1 场发射显示器的研究的历史 |
| 1.1.2 几种常见的平板显示器 |
| 1.2 场发射阴极类型 |
| 1.2.1 微尖型冷阴极 |
| 1.2.2 金刚石和类金刚石薄膜型冷阴极 |
| 1.2.3 金属-绝缘体-金属(MIM)冷阴极 |
| 1.2.4 碳纳米管冷阴极 |
| 1.3 碳纳米管场发射显示器的发展 |
| 1.3.1 碳纳米管场发射显示器的发展过程 |
| 1.3.2 碳纳米管场发射显示器的国内外研究现状 |
| 1.4 本文研究内容、创新点及结论 |
| 第二章:场发射理论基础 |
| 2.1 F-N理论 |
| 2.2 微尖结构的场增强效应 |
| 2.3 碳纳米管的定向排列 |
| 2.3.1 碳纳米管的定向排列方法 |
| 2.3.2 层流场中的定向排列的机理 |
| 2.3.3 磁场中的定向排列的机理 |
| 2.3.4 电场中的定向排列的机理 |
| 2.4 碳纳米管的场致电子发射机理研究概况 |
| 2.4.1 把碳纳米管作为金属微尖进行研究 |
| 2.4.2 碳纳米管的电学性能 |
| 2.4.3 缺陷的存在使管壁也可以参与发射 |
| 2.4.4 表面局域态的影响 |
| 2.4.5 表面吸附的影响 |
| 2.5 场致电子发射特性研究的基本实验方法 |
| 2.5.1 探针法 |
| 2.5.2 透明阳极法 |
| 第三章:丝网印刷方法及其改进方法 |
| 3.1 碳纳米管冷阴极结构 |
| 3.2 丝网印刷的特点 |
| 3.3 丝网印刷过程 |
| 3.3.1 碳纳米管的制备方法 |
| 3.3.2 浆料的配制 |
| 3.3.3 浆料的烧结 |
| 3.3.4 后处理 |
| 3.3.5 丝网印刷方法的缺陷 |
| 3.4 对丝网印刷工艺的改进 |
| 3.4.1 定向排列碳纳米管 |
| 3.4.2 用丝网印刷方法印制定向排列的碳纳米管 |
| 第四章:碳纳米管冷阴极结构的理论模拟 |
| 4.1 碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算 |
| 4.1.1 碳纳米管阵列模型的建立 |
| 4.1.2 碳纳米管周围电场的计算 |
| 4.1.3 计算结果与讨论 |
| 4.2 镜像悬浮球法与解拉普拉斯方程方法比较 |
| 4.2.1 镜像悬浮球法计算碳纳米管四角阵列 |
| 4.2.2 解拉普拉斯法计算碳纳米管四角阵列 |
| 4.2.3 比较解拉普拉斯方程的方法和镜像悬浮球法 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 攻读学位期间所发表的学术论文目录 |
四、日本用碳纳米线圈制成显示器用电子枪（论文参考文献）
- [1]电子束诱导金属结构直写电子源机理研究[D]. 张文琪. 苏州大学, 2020(02)
- [2]Ti/TiO2-DLC薄膜制备与场发射性能研究[D]. 李栓平. 太原理工大学, 2020(07)
- [3]用于OLED的石墨烯/金属复合电极研究[D]. 韦梦竹. 长春理工大学, 2019(01)
- [4]铜基贵金属合金纳米线合成技术及其高效催化燃料电池应用研究[D]. 黄宗兴. 厦门大学, 2019(08)
- [5]碳纳米管阴极薄膜的制备及其场发射性能研究[D]. 郭东洋. 郑州大学, 2017(11)
- [6]碳纳米管冷阴极返波管研究[D]. 杨欢. 电子科技大学, 2015(03)
- [7]碳纳米管薄膜场发射显示器的制备及其性能研究[D]. 伊兰. 浙江大学, 2014(02)
- [8]X射线晶体学的百年辉煌[J]. 马礼敦. 物理学进展, 2014(02)
- [9]纳米金刚石场发射显示器专用电源和驱动控制系统的研制[D]. 杨万昌. 西北大学, 2009(08)
- [10]碳纳米管场发射性质的研究[D]. 乔宪武. 兰州理工大学, 2009(11)