一、印制线路基板制造业面临重新洗牌——纳米技术在PCB基板中的应用前景及其战略研究（论文文献综述）
狄梦停[1]（2021）在《PCB基板铜箔表面碱性氧化处理技术及其应用研究》文中研究说明第五代移动通信技术（5th Generation Mobile Communication Technology,5G）在人工智能、移动互联网等方面具有巨大的应用前景,而应用于该领域的印制电路板（Printed Circuit Board,PCB）在高频信号传输方面的传输频段、传输时间和传输损耗等方面都具有较常规PCB产品更高的技术要求。就PCB制造而言,在印制电路制造过程中实现对铜箔表面粗糙度的有效控制,是满足这些高技术要求的关键点之一,也是目前行业研究的热点。因此,对PCB制造中铜箔表面处理技术开展研究不仅具有科学意义,而且也具有工业生产应用价值。目前PCB行业现有的表面处理技术难以实现多层板层间结合力提升与高频传输信号损耗降低的两者兼顾。针对这种情况,基于铜在某些碱性体系中腐蚀速率低于现有PCB领域应用的棕化工艺的实验事实,本论文以Na2O2为铜氧化剂,通过添加硅酸盐、钼酸盐等组分来改善介质膜的化学组分与提高表面结合力等性能,形成了新型PCB基板铜箔表面碱性氧化处理技术。通过在PCB基板上形成有机—无机金属氧化膜层,实现了铜箔粗糙度与层间结合力的兼顾调控。该复合膜层是由Cu2O、CuO、CuSiO3和N-基有机物等物质桥接得到的,且该膜层具有良好的亲水性,可以在铜箔表面得到较小表面粗糙度的同时,使铜箔和介质层树脂间的结合力达到IPC–TM650标准。开发的PCB基板铜箔表面碱性氧化处理技术包括碱洗、酸洗、铜表面碱性氧化处理这三个部分。通过铜箔和介质层结合力性能研究和铜箔表面粗糙度测试,得到不同条件下的Na2O2体系铜表面处理技术处理铜箔的最优试验条件。在最优试验条件下,铜箔和树脂间的结合力可以达到1.20 N/mm,铜箔表面的粗糙度为0.22μm,该结果优于现有的棕化技术。通过测试在经过自主开发Na2O2体系铜表面处理技术处理后的铜面的电化学阻抗谱和极化曲线,探究了研究体系中处理液对铜表面的腐蚀机理。将最优试验条件下的Na2O2体系铜表面处理技术应用于30～50μm精细线路和六层高频印制电路板,得到较小的30～50μm精细线路的表面粗糙度,且在10 GHz至20 GHz高频信号区域内,相较于传统的棕化工艺,经过Na2O2体系铜表面处理技术处理后的信号要降低8 d B/m和14 d B/m。所以,Na2O2体系铜表面处理技术更适合高频印制电路板的制作,具有很好的发展前景。
陈栋[2]（2020）在《基于过冷水动态制冰的冷冻法电镀废水处理技术研究》文中研究表明电镀废水中含有的大量重金属对环境和人体有害。现有的电镀废水处理技术,主要处理方法是传统的化学沉淀法,在处理过程中投入化学药剂,产生大量的污泥,二次污染严重,实质是污染物的增加和转移,不符合清洁生产的要求。对电镀水洗废水进行浓缩后回用于电镀槽,可达到清洁生产的目的。目前国内外电镀水洗废水浓缩处理常用的方法主要是反渗透和蒸发浓缩。常用的电镀工艺中,酸铜工艺、氧化镍工艺、镀铬工艺水洗废水为pH值小于2的强酸性,碱铜工艺、锌酸盐镀锌工艺水洗废水为pH值大于12的强碱性,均超出了现有反渗透膜的容许pH值范围,使反渗透法在电镀废水处理领域适用范围很小。而蒸发浓缩法,能耗大,成本高。因此,急需研发一种适用性广、能耗低、符合清洁生产要求的电镀水洗废水处理新技术。本研究探讨采用冷冻法进行电镀水洗废水的处理,并采用了过冷水动态制冰技术,利用冷冻结晶提纯中水回用于电镀水洗槽或者电镀前处理,冷冻浓缩水洗废水形成电镀液回用于电镀槽,变废为宝。新研发的过冷水动态制冰冷冻法,相比现有的冷冻法水处理技术,具有溶质去除率高、能耗低、产水率高的特点。主要内容包括:（1）通过界面渐进静态冷冻法试验,证明了冷冻法能够处理各种不同工艺的电镀水洗废水。找出常规的界面渐进冷冻法处理电镀水洗废水在实际应用中主要问题,探索工程应用中可行的冷冻制冰新方法。（2）通过对过冷水成冰机理研究,寻找出更高冰晶纯度和更低能耗的制冰新方法。结合经典成核理论,通过过冷水冰晶生长试验和过冷水雾化试验,提出了“氢键角壁垒”技术观点,解释水不能在0℃结冰而是形成过冷水的原因。进而得出人为促冰的方法是:减少液体束缚,加大水体的流动,形成水力冲击,减少“氢键角壁垒”。并由此设计出最高温度能在-0.5℃就产生细小冰晶的新制冰方式用于冷冻法水处理。（3）通过冰晶尺寸与溶质去除率关系试验,寻找最合适的冰晶尺寸:厚度1 mm左右的冰粉状冰和冰絮状冰,是过冷水动态制冰法进行水处理的最优选择。且形成此形态冰的能耗,仅为界面渐进式间接冷冻法的62%。通过冰水分离方式研究试验,选择最合适的冰水分离方式:在处理电镀水洗废水的工程应用中,采用过冷水动态制冰同时进行重力过滤分离,再进行离心分离的冰水分离方式,是综合考虑杂质去除率、能耗、耗时的最优选择。产淡水率可达到59%,远高于常规的界面渐进间接冷冻法的25%。（4）通过过冷水动态制冰冷冻法处理3种有代表性的电镀水洗废水的试验,确定了最合适的冷冻法电镀水洗废水处理总流程。并计算得出整个处理流程的总能耗不到采用纯蒸发浓缩法能耗的1/10。（5）为解决了试验研究和工程应用之间的衔接问题,进行了过冷水动态制冰冷冻法处理电镀水洗废水工艺流程设计、核心处理器设计、整体处理系统设计。研究确定了可以在一个处理设备中,同时完成动态制冰、重力过滤分离、离心脱水、融冰四个步骤的核心处理器。以酸铜电镀工艺为例的经济分析显示,该系统的计算运行利润率可达到1.5倍。过冷水动态制冰冷冻法处理电镀水洗废水,有着可观的运行经济效益,为电镀厂家采用此系统进行电镀水洗废水处理提供了理论依据。
景欢[3]（2020）在《基于PCB工艺的小型化电磁感应式角位移传感器研究》文中指出随着全球工业领域的不断扩展,传统制造工业向自动化和智能化的发展的趋势逐步上升,作为全闭环控制系统中位置反馈核心元件的位移传感器,对整个控制系统的工作性能起决定性作用。电磁感应式角位移传感器经过多年发展,因其具有稳定性高、可靠性好、对工作环境要求低等优势广泛应用于工业及军工领域。传统的电磁感应式角位移传感器,如旋转变压器、感应同步器因体积和重量等因素,未能满足工业自动化领域的发展需求,尤其是机器人行业的发展需求。因此,诸多新型的盘式角位移传感器迅速发展,如Zettlex IncOder编码器、Netzer旋转编码器、盈动高科旋转编码器等。其中,Zettlex IncOder编码器为电磁感应式传感器,相比于盘式结构的感应同步器,具有较高的集成度,所以在对传感器的体积、重量等比较敏感的场合得到了广泛应用。鉴于传统电磁感应式角位移传感器的不足和新型角位移传感器的发展需求,本文结合当今较为成熟的PCB（Printed Circuit Board）技术,开展了一种基于PCB工艺的小型化电磁感应式角位移传感器研究,本文的主要研究内容和成果如下:（1）根据主流传感器的测量原理及研究现状,结合电磁学理论研究了时变磁场产生原理以及平面磁场的约束方法,为小型化电磁感应式角位移传感器的研究奠定了基础。（2）开展了小型化电磁感应式角位移传感器的理论模型研究。根据感应线圈中磁通量的变化与被测位移之间的关系,精确设计和布置平面激励线圈和感应线圈,使感应线圈的输出信号与被测位移之间达到期望的函数关系,从而为传感器的结构设计提供理论支撑。（3）开展了小型化电磁感应式角位移传感器的结构设计及仿真研究。设计了3种不同的角位移传感器结构,并分别进行了有限元分析,从仿真层面验证了传感器结构的可行性。（4）根据仿真结果,开展了样机的设计与制造工作。基于3种传感器结构的仿真结果与分析,样机最终的基本结构为:定子包含内、中、外3组环形线圈和内、外环2组正弦形线圈,转子包含内、外环铜箔阵列。为了实现绝对位移测量,内、外环双通道传感单元的周期数相差为1。样机的定子和转子采用了PCB工艺制造。（5）开展了传感器样机的实验研究工作。设计并搭建了一套兼容传感器直径为40mm200mm的角位移实验平台,对样机进行了初步实验和改进实验。初步实验表明了传感器结构的可行性,但小型化设计后的传感器样机采用基于鉴相原理的信号处理电路时,输出信号比较弱,无法进行测量。因此,传感器样机又采用了基于鉴幅原理的电路进行信号处理,并通过提高激励频率和采用谐振电路增加了其输出信号强度;改进实验表明,直径为80mm、厚度为26mm（含壳体）的传感器样机的整周原始误差为-70"+80",短周期内原始误差为-40"+10"。
罗佳玉[4]（2020）在《高频高速印制电路板ENEPIG表面修饰技术研究》文中研究指明金线键合被广泛用作半导体芯片与印制电路板之间的互连,在集成电路封装工艺中起着非常关键的作用。金线键合技术要采用到化学镀镍钯浸金（ENEPIG）表面修饰技术,而化学镀镍钯浸金表面修饰技术的镀前钯活化环节由于其成本高、溶液抗干扰能力差等缺点,使非钯活化技术成为行业的研究热点。同时,随着传输频率的增加,ENEPIG技术中镍层的性质对信号传输的影响愈加显着,因此研究镍层性质对信号完整性的影响对保证信号传输质量起着关键作用。基于目前存在的钯活化问题,本文采用二甲胺基甲硼烷（DMAB）-次亚磷酸钠双还原剂体系进行非钯活化技术研究,利用正交优化实验进行配方优化,结合电化学工作站、SEM、EDS等测试手段分析了DMAB电化学及镀层性能。发现柠檬酸钠的含量对镀液稳定性、镀速、镀层性能影响最大,同时次亚磷酸钠的增加有助于提高镀层的沉积效率。综合考虑,柠檬酸钠取25g/L,次亚磷酸钠取12g/L,氯化铵取10g/L,硫酸镍取30g/L,DMAB取2g/L时,能够得到镀液稳定性优良,镀层耐蚀性好、表面排列均匀细致、磷含量达标、催化活性高/的镍镀层。化学镀镍层（EN）的质量在整个ENEPIG环节中起着关键作用。通过电化学测试、SEM、EDS等方法探究了四种含硫稳定剂（硫脲（THU）、4,6-二甲基-2-巯基嘧啶（DLMP）、2-氨基苯并噻唑（NA）、三聚硫氰酸（TTCA））对化学镀镍溶液稳定性、沉积速度以及镀层性能的影响。结果发现四种稳定剂对次亚磷酸根的阳极氧化、溶液稳定性、沉积速率、磷含量有显着的影响,其中低浓度的DLMP和TTCA对溶液稳定性提高作用显着。对THU、DLMP、NA、TTCA四种含硫稳定剂进行量子化学计算和分子动力学模拟,量子化学计算结果表明DLMP和NA具有更高的反应活性,更易发生电子转移;分子动力学模拟计算结果表明DLMP具有更大的吸附能。结合量子化学计算和分子动力学模拟结果可知,DLMP更易在铜面发生吸附。通过量子化学计算和分子动力学模拟结果推测出含硫稳定剂对镍沉积的加速作用与含硫稳定剂在铜表面的吸附有关。为探究表面修饰技术对差分微带线信号传输的影响,采用M4高频基板材料设计四层测试板,利用SEM测试、粗糙度测试、特性阻抗测试、插入损耗测试等测试手段探究了化学镀锡、化学镀银、化学镀镍金、化学镀镍钯金、有机保焊膜修饰（OSP）五种不同的表面修饰技术对差分微带线表面性能及信号传输的影响。结果表明经过OSP表面修饰后的传输线表面最为平整且对信号传输的影响最小,而化学镀镍金及化学镀镍钯金的插入损耗远大于其他几种表面修饰,且镍镀层中磷含量越高,插入损耗越小;镍镀层越厚,插入损耗越大。同时发现在测试板差分传输线表面特性阻抗与插入损耗之间没有明显的对应关系。
李超[5]（2020）在《制药产业国际竞争力关键因素与形成机理研究 ——基于美日欧制药产业的实证分析》文中指出制药产业是当今世界上发展速度最快的高新技术产业,同时医药市场是典型的寡头垄断市场。而我国无论在企业规模、产品结构、经济效益、研发能力等方面都与发达国家存在很大差距,如何弥补这种差距,我国制药产业的未来应该走哪条发展之路,成为了诸多专家学者研究的重点。本研究之所以以美国、日本和欧洲国家作为研究对象,是因为美国和欧洲是现代生物制药产业的奠基者和领跑者,是传统的制药强国,而日本则在上世纪六七十年代开始大力发展制药产业,逐渐形成了极具本国特色的产业环境和国家竞争力。美国、日本和多数欧洲国家能够形成尖端制药领域的领头地位,其关键影响因素及其国家竞争优势的形成机理,不仅有助于规划我国制药产业未来的发展方向和发展路径,更有助于我国在借鉴各国经验的基础上,形成自身制药产业的国际竞争力,特别是在新冠疫情防控中起到重要作用的传统中医药。因此,本研究对我国制药产业发展具有很强的现实指导意义。本研究以国家竞争优势理论和比较优势理论等理论作为基础,从宏观视角分析制药产业发展现状和发展环境,总结主要影响因素、归纳产业特征,并以此为基础建立了能够体现制药产业内外表征的综合评价体系,探究各国制药产业国际竞争力在各个方面的比较优势,为探究关键竞争要素提供方向性指导;随后采用个体固定效用模型对各国头部制药企业进行实证分析,探究企业层面产业规模和产业质量指标下的竞争因素的作用;再使用聚类分析和对应分析的方法,对各国产业结构进行解析,分析了各国制药企业分布的结构性差异;基于上述的研究过程,本研究分析了企业层面影响因素反映在产业层面的作用,确定了11个制药产业关键影响因素及其作用,推导出制药产业国际竞争力的作用机理和形成逻辑,并分析了各国竞争力形成的差异性;以此为基础,结合中国制药产业自身的发展状况和产业特质,揭示了中国制药产业竞争力的形成路径,提出了中国制药产业未来发展战略。从产业层面来讲,本研究从实证结果推理出各个显着的影响因素与产业各方面的竞争力、以及产业竞争力之间存在复杂的单向或双向关系,这使得他们之间形成了精妙的循环。本研究注意到,某一些因素是可以通过“主动”改变或刺激来提高,如研发投入强度、员工数量、研发投入,进而启动整个相互作用的循环。因此,一般来说,在具备一定产业基础的国家和地区,要形成其制药产业的国际竞争力,可以通过鼓励企业提高研发投入和研发投入强度提升创新力度,扩大员工数量提升规模,从内部形成正向循环,也需要鼓励科学研究、完善金融制度和企业融资融券环境、制定合适恰当的医疗保险制度和国家医疗卫生支出预算,完善产业的支撑环境。基于对中国制药产业竞争力形成路径的分析,本研究从美国、日本和欧洲国家产业发展的经验以及中国制药产业的实际状况出发,本研究提出了中国制药产业发展的六大战略方向,学习日本鼓励对仿创药的研发;并且,如果能以现代医学的科学方式去解构中医丰富的内涵和外延,持续推进中药标准化、国际化进程,中国制药产业必将在世界独树一帜。
胡甲聪[6]（2020）在《印制电路互连图形表面锡修饰的研究》文中认为印制电路板（printed circuit board,PCB）为电子元器件的电气互连提供着基本通道。万物互联、人工智能等应用背景的驱动以及5G通信终端设备制造与其网络建设的巨大需求,正在共同推动着PCB制造技术的进步。目前,通过蚀刻铜制作互连线路是PCB制造的主流技术,而在铜上电镀锡层作为铜蚀刻阶段的抗蚀层是制作高品质电子线路的关键。因此,开展PCB互连图形表面锡修饰的研究,对提升PCB制造技术、助力5G通信等具有重要的科学价值和应用前景。在PCB互连图形上镀锡的实质是在铜面电沉积锡,添加剂可以通过影响锡电沉积的关键步骤而对镀锡层的结晶状况、镀层性能等产生重要改善。为解决PCB制造企业面临的针孔、疏松、发黑等锡层品质问题,论文优选三种光亮剂,围绕其对PCB互连图形铜面电沉积锡过程产生的影响进行研究,具体研究内容包括:（1）选取香兰素及其衍生物为电镀锡光亮剂,通过量子化学计算和分子动力学模拟研究三种光亮剂的作用机理,以及分子结构与作用机理之间的关系。研究发现,三种光亮剂都具有较高的分子反应活性,都能够自发地在锡层表面发生吸附,吸附位点是醛羰基氧,这与三种光亮剂的分子结构有关,除此之外,研究发现乙基香兰素在锡（211）晶面可以发生较强的吸附。（2）在数值模拟的基础上,通过电镀实验、电化学测试及耐蚀性测试等研究香兰素等三种光亮剂在实际电镀中发挥的作用。研究发现三种光亮剂都会对电沉积锡过程产生抑制作用,还可以改变镀锡层的致密性、均匀性和结晶取向,其中乙基香兰素的抑制作用最强,获得的镀层致密度最好、孔隙率最低、耐蚀性最好。结果还证实锡（211）晶面不利于镀层耐蚀性的提高。此外,工艺条件优化结果说明三种光亮剂的较优添加浓度分别为100mg/L、100mg/L和150mg/L。（3）针对现有PCB制造技术存在的不足,论文提出一种镀锡层在PCB制造中的创新型应用,这一应用以生长锡质种子层和电镀铜为关键点。应用实验在环氧树脂基板上实施,以镀层微观形貌测试、金相显微镜测试、能谱分析测试、剥离强度测试等为主要测试手段,结果发现获得的印制电路导电线路图形完整,线路侧蚀程度较轻,且线路与基板之间结合力良好,剥离强度为0.86N/mm。综上所述,本文对三种电镀锡光亮剂的作用机理和作用效果进行了综合探究,还提出了一种新型印制电路互连图形制作技术。研究的部分成果在企业生产中得到了应用,获得了较好的经济效益。
朱凯[7]（2019）在《金属沉积构建电子元件电气互连结构的研究与应用》文中研究指明电气互连是电子元件实现功能并组成功能化的电子产品时必不可少的环节,印制电路板层间互连结构和电子元件引脚封装是电子元件电气互连结构的重要组成部分;在新技术革命对电子产品在性能、集成度、可靠性方面提出更高要求的大背景下,采用盲孔结构提高印制电路板可靠性和高密度集成能力,以及设计新型结构提高片式电感品质因子是目前电气互连结构研究领域的重要方向;从添加剂吸附和协同作用的机理研究入手提高电镀铜填盲孔的效率、以新技术方法提高新型结构的片式电感的可制造性是目前国内外研究的热点与难点之一。本论文围绕金属沉积构建电子元件的电气互连结构的方法,采用电化学测试、分子动力学计算、金属沉积等方法,以机理研究为基础,以提高电镀铜填盲孔效率和建立片式电感L形结构端电极的产业化制作能力为目标;研究了电镀铜整平剂合成、测试、筛选方法,建立了电镀铜配方研发体系;研究了电镀铜体系中开路条件下添加剂吸附与解吸附、添加剂对流调控竞争吸附的机理,揭示了添加剂预吸附对电镀铜填盲孔的影响规律,获得了两种提高电镀铜填孔效率的方法;研究了材料间润湿性差异对材料边界上化学镀镍磷生长的影响,探索了精细银线路上各向异性生长的化学镀镍磷方法与机理,提出相关机理模型,解决了片式电感L形结构端电极制作的技术难题,获得了各向异性化学镀镍磷技术制作片式电感L形结构端电极的产业化制造能力,并用于企业生产,取得了相应的经济和社会效应。本论文研究成果具体包括:（1）聚二硫二丙烷磺酸钠（SPS）局部预吸附加速电镀铜填盲孔。以咪唑化合物和1,4-丁二醇二缩水甘油醚为单体合成整平剂,采用恒电流测试（GM）和电镀方法测试、筛选整平剂,提出相应的评价指标,建立电镀铜填盲孔研发体系,获得了1.5 A/dm2电镀45 min填充孔径100μm、孔深80μm的盲孔的电镀铜填孔配方,填孔dimple<10μm。采用GM和电镀方法研究了SPS、环氧乙烷与环氧丙烷嵌段聚合物（EO/PO）、咪唑与环氧的聚合物（IMEP）预吸附对电镀填孔能力的影响,发现预吸附SPS会导致电镀液失去填孔能力,提出相应的生产管理和维护方案。研究盲孔内、外SPS吸附特性和氧化剂传质差异,提出了SPS局部预吸附技术,该技术能将填盲孔时间从45 min缩短到25 min。此外,还研究了该技术与现有产业化电镀填盲孔技术的兼容性,提出了该技术的产业化应用方案。（2）SPS与EO/PO对流调控的竞争性预吸附加速电镀铜填盲孔和硅沟槽。采用GM、电化学阻抗谱（EIS）、分子动力学计算和电镀等方法,发现了开路条件下硫酸溶液中SPS与EO/PO在铜表面基于吸附位点竞争的对流调控竞争吸附行为,提出开路条件下铜表面SPS与EO/PO竞争吸附的理论模型:提高对流强度或EO/PO浓度,都能增强EO/PO的吸附速率,EO/PO占据的吸附位点增多导致SPS吸附量减少。采用GM和电镀方法发现了Cl-对SPS吸附具有显着的抑制作用,Cl-也会显着减少SPS与EO/PO竞争吸附时SPS的吸附量,但SPS与EO/PO间依旧存在对流调控的竞争吸附行为。采用GM方法发现开路条件下SPS与乙二醇、聚乙二醇（PEG）间也存在对流调控竞争吸附行为,且PEG的极化作用（与分子量相关）与其对SPS吸附的抑制作用正相关。研究还发现了硅沟槽底部的种子层中含Ti会导致电镀铜填充效果变差,通过技术优化获得了1.5 A/dm2电镀80 min填充硅沟槽（宽25μm、深115μm）的电镀铜配方。进一步地,基于SPS与EO/PO间对流调控竞争吸附行为可以在盲孔或沟槽底部预吸附相对多的SPS,从而加快电镀过程中盲孔或沟槽底部的加速剂累积的原理,提出SPS+EO/PO预吸附技术,该技术能将电镀填充盲孔和硅沟槽的时间缩短30%以上。（3）微米尺寸的各向异性化学镀镍磷技术制造片式电感L形结构端电极。发现了精细银线路（线宽<15μm）上宽度（Dw）方向生长比厚度（Dt）方向更具优势的微米尺寸的各向异性化学镀镍磷生长行为,其中,30 min内银线路上镍磷镀层沿Dw方向生长超过15μm,而沿Dt方向生长约6μm。通过研究Pb2+浓度、物质传递、强制对流对该各向异性化学镀镍磷的影响,提出了基于物质传递和Pb2+抑制作用贡献的精细银线路（阵列）上镍磷镀层生长的可能机理。在此基础上,研究了各向异性化学镀镍磷技术制作片式电感L形结构端电极的方法,提出了片式电感上陶瓷表面镍颗粒形成的可能机理:前处理中残留的Pd2+和镀液中活性微粒吸附在陶瓷表面生长成为镍颗粒;解决了小试、中试、产业化中的镍颗粒问题,实现了各向异性化学镀镍磷技术制作片式电感L形结构端电极的产业化（1kk/次）应用。
钟智彦[8]（2019）在《面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究》文中研究说明高密度柔性集成电路封装基板（FICS）广泛应用于具有小型化、轻量化、可移动等特性的电子产品中。由于FICS的制作过程十分复杂,所以其任何一道工艺出现不良产品都会对后续生产造成极大的损失。这种高密度柔性IC封装基板的线宽/线距细至10um以下制程,所以必须借助显微镜才能完成采集,此时相比于不需借助显微镜的传统缺陷检测方法其检测难度更大。随着芯片制造工艺的发展,其线宽/线距将进一步降低,进一步增加了基板检测的难度。当使用显微成像采集FICS图像时,基板的纹理结构和缺陷同时被放大,此时的纹理结构与某些缺陷比较类似,例如氧化缺陷等。由于现有方法很容易把基板的纹理结构误判为缺陷,所以迫切需要开发新的缺陷检测方法以满足自动化工业生产。基于上述需求,针对显微成像FICS缺陷图像自动检测的关键技术难题展开了科学研究。本研究的主要研究内容和创新点包括以下四个方面:（1）针对显微成像基板图存在多种未知工业噪声的问题,提出了基于拓扑映射的加权邻域闭合曲线均值模板。实验结果表明,该模板不仅优于现有滤波器,而且有效去除了显微成像基板图像的噪声。（2）针对低倍显微成像氧化缺陷基板图像检测中传统视觉检测方法极易把黑色背景误判为缺陷且严重依赖标准模板的不足,提出了基于拓扑映射的氧化缺陷检测算法。将该方法应用于噪声图像、增强图像和缺陷图像的检测实验,证实其对FICS的背景纹理和光照不敏感,抗干扰能力强,并且鲁棒性好。（3）针对高倍显微成像的氧化缺陷基板图像中传统视觉检测方法极易把黑色背景和基板纹理结构误判为缺陷并且严重依赖标准模板的不足,提出了基于微分几何工具的氧化缺陷检测算法。该方法通过建立样本拟合模型和缺陷检测模型,实现了氧化缺陷的检测,具有快速、实时的特点。相同环境下,只需对拟合样本进行单次建模,即可实现基板缺陷的快速检测,既减少了检测时间,又能更好地满足工业检测的实时性要求。（4）针对显微成像油墨异物基板图像中,图像对比度低并且传统的视觉检测方法极易把黑色背景和贴膜背景误判为缺陷的不足,提出了一种基于微分几何工具的缺陷检测算法。该算法先建立基于曲率的样本拟合模型,再提出基于图像灰度值分析的分段线性函数以提高图像的对比度,最后建立基于概率的缺陷检测模型。相同环境下,可以将样本拟合模型和分段线性函数的相关参数直接应用于后续的待测图像中,提高了缺陷检测的整体效率。实际应用表明,该算法不仅精度高,而且满足柔性基板快速生产的工业实时性要求。本研究获得的成果,不仅实现了上述四种算法的工程应用设计而且验证了其效果。大量实验数据表明,论文所提出的高速、高精度的缺陷检测方法,很好地满足了柔性IC基板快速生产的工业实时性要求。
罗威[9]（2018）在《倒装焊焊点的可靠性研究》文中研究表明随着当代微电子封装技术的快速发展,半导体的加工尺寸越来越小,晶片的尺寸越来越大,并且集成电路中芯片的I/O端口数也在不断增加,与此相对应,微电子的封装技术也愈来愈倾向于高精密度、高稳定性和低成本。在所有的电子封装芯片互连技术中,倒装焊（Flip Chip Bonidng,FCB）技术得益于高封装密度以及极佳的高频性能,使微电子封装技术产生了巨大进步,正在成为现代微电子封装的主要互连技术。但同时,倒装焊技术也产生了不少封装失效的问题,因此,倒装焊互连焊点的可靠性已成为微电子封装技术中极其关键的问题。热循环条件下,不仅要分别考虑到焊点的塑性行为和蠕变行为,更要将焊点塑性和蠕变行为互相影响的因素综合在一起分析,因此,如果仅从理论上,无法准确地分析其应力应变分布情况。本文将使用热超声倒装键合工艺制备倒装焊芯片,选用对倒装焊焊点进行剪切力测试作为判断热超声倒装焊焊点键合效果的标准,主要对键合完成后的样本进行破坏性的剪切力实验,研究键合力和超声功率对焊点的抗剪切力的影响。并且采用有限元软件ANSYS对倒装焊焊点的可靠性进行了模拟分析并给出焊点的应力应变分布结果。模拟过程中,使用不同的材料模型,会对有限元软件ANSYS最终的模拟结果产生差别很大的影响。本文在对比了一系列焊点材料粘塑性本构模型之后,决定采用Anand本构模型。Anand模型在焊点应力分析中已经得到了广泛的应用,并且该模型已经被嵌入到ANYSY软件中,所以使用该模型对倒装焊焊点的性能观察相当有用。此模型下焊点在热循环条件下的应力应变分布情况较为合理。利用此模型,能尝试利用非线性有限元方法解决一般的粘塑性问题,这里较为详尽地分析了该问题的解决过程。同时,利用有限元方法分析了Anand本构模型下倒装焊焊点的粘塑性力学性能,并得到了焊点在热循环下条件下的应力应变分布特征情况:焊点的最大应力应变值出现在焊点与芯片边缘处接触处,焊点下方受到的应力要比其上方所受到的应力小;整个热循环阶段中,应力应变的发生明显变化的地方始终处于边缘焊点处,焊点在温度变化过程中应力应变的变化显着,而在温度稳定过程中应力应变变化程度较轻。综合以上的分析,采用相关的经验修正计算方程,我们可以较准确的计算并预测倒装焊焊点的热疲劳寿命。
姚丽丽[10]（2018）在《PCB线路选择性激光镀蚀工艺的实验研究》文中认为伴随着计算机、自动化及电子科学技术的高速发展,作为电子产品之母的PCB也朝着高集成化、精细化和微小型化发展,同时,PCB的产量随之不断快速增长,PCB的品种及门类不断增加,生产周期不断缩短。特别是随着智能机器人、自动控制系统的快速增长、各种门类的电子仪器及部件的快速开发,对PCB的快速生产及柔性制造产生了新的需求。随着与半导体、计算机、核能并称为二十世纪四大发明的激光技术的发展,激光技术在PCB生产中的应用越来越广,应用的门类越来越多,成为PCB制备的新技术,逐渐受到大众关注。本文针对PCB制备减成法技术及激光应用技术进行激光选择性刻蚀实验研究。选用涂层及表面黑化的方式对覆铜板进行表面处理来提高对激光的吸收率,对比不同黑化涂层材料处理过的覆铜板激光刻蚀效果,找出最适合覆铜板表面黑化处理涂层材料为光致阻焊剂。对涂覆不同颜色光致阻焊剂的覆铜板进行紫外可见近红外光谱分析,观察吸收率随波长的变化情况,针对不同波长激光选择不同颜色光致阻焊剂。分析结果表明在波长为1064 nm处蓝色光致阻焊剂最适合作为表面黑化涂层。采用NaClO2与NaOH混合液对覆铜板表面进行黑氧化处理也可增加其对激光的吸收率,通过正交实验优化出最佳黑氧化配方及工艺,并对经最佳工艺制备的黑氧化膜进行SEM、XRD分析以及激光刻蚀验证等实验,结果表明所采用的黑氧化工艺可有效提高PCB基板铜箔对激光的吸收率,改善PCB的蚀刻质量。本文针对PCB制备加成法技术及激光应用技术进行激光选择性化学镀实验研究。采用445 nm激光照射涂有ACD/BCD胶体的玻纤环氧树脂基板,还原出纳米银粒子并嵌入基板中作为活化中心催化化学镀铜。探究激光参数对光刻形貌以及镀铜层形貌的影响。通过SEM、AFM考察激光还原纳米银的形貌以及粒径;XRD对光刻区进行成分分析,结果表明光刻区有Ag的存在并用EDS分析了光刻后Ag的分布情况。最后对镀铜线进行粗糙度、结合力以及导电性综合测试分析。在大量的摸索实验的基础上,采用正交实验对激光镀活化液配方、感光膜制备工艺及显影工艺进行了优化实验,最后优化出激光镀活化液配方、感光膜制备工艺及显影工艺。结果表明成功地制备出结合力强、导电性良好的铜导线。
二、印制线路基板制造业面临重新洗牌——纳米技术在PCB基板中的应用前景及其战略研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、印制线路基板制造业面临重新洗牌——纳米技术在PCB基板中的应用前景及其战略研究（论文提纲范文）
（1）PCB基板铜箔表面碱性氧化处理技术及其应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 5G通信技术在印制电路板信号传输方面的基本特征 |
| 1.1.1 印制电路板5G通信技术应用的高频段特征 |
| 1.1.2 印制电路板5G通信技术应用的低延迟特征 |
| 1.1.3 印制电路板5G通信技术应用的低损耗特征 |
| 1.2 印制电路铜内层表面处理技术研究现状 |
| 1.2.1 印制电路黑化工艺 |
| 1.2.2 印制电路棕化工艺 |
| 1.2.3 印制电路黑化和棕化工艺存在的信号传输损耗问题 |
| 1.2.4 印制电路白化工艺 |
| 1.3 论文选题依据与研究内容 |
| 1.3.1 本文来源 |
| 1.3.2 主要研究内容 |
| 第二章 印制电路铜箔Na_2O_2 体系表面处理技术研究 |
| 2.1 实验试剂和仪器 |
| 2.1.1 实验试剂 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 实验工艺流程 |
| 2.3 Na_2O_2体系铜表面处理技术前处理工艺研究 |
| 2.4 Na_2O_2体系铜表面处理技术工艺研究 |
| 2.4.1 Na_2O_2体系铜表面处理技术氧化物浓度优化 |
| 2.4.2 Na_2O_2体系铜表面处理技术温度优化 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 Na_2O_2 体系铜表面处理作用机理研究 |
| 3.1 Na_2O_2体系铜表面处理技术性能研究 |
| 3.1.1 实验试剂及仪器 |
| 3.1.2 Na_2O_2体系处理铜面表面能变化研究 |
| 3.1.3 Na_2O_2体系铜表面处理技术对印制电路用铜面形貌影响研究 |
| 3.1.4 Na_2O_2体系铜表面处理技术对铜面特性功函数研究 |
| 3.1.5 处理前后铜箔表面组分X射线光电子能谱测试与分析 |
| 3.1.6 铜表面聚焦离子束处理与表面复合膜分析 |
| 3.2 Na_2O_2体系处理液中铜腐蚀电化学研究 |
| 3.2.1 铜与处理液作用的电化学阻抗谱测试与分析 |
| 3.2.2 铜与处理液作用的极化曲线测试与分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 Na_2O_2体系处理技术在精细线路板和高频测试板中的应用 |
| 4.1 含线宽30~50μm精细线路板的选择和设计 |
| 4.1.1 含线宽30~50μm精细线路基板选择 |
| 4.1.2 含30~50μm精细线路的印制电路板设计 |
| 4.2 Na_2O_2体系铜表面处理技术应用于精细线路样板的技术路线 |
| 4.3 含30~50μm精细线路的实验样板制备 |
| 4.3.1 基板选材与烘板 |
| 4.3.2 钻孔设计与应用 |
| 4.3.3 激光直接成像系统精细线路制作 |
| 4.3.4 内层蚀刻工艺与应用 |
| 4.3.5 锣板设计与应用 |
| 4.4 含30~50μm精细线路实验样板性能研究 |
| 4.4.1 含30~50μm精细线路的印制电路铜表面处理实验 |
| 4.4.2 Na_2O_2体系铜表面处理技术与棕化工艺铜精细线路形貌对比分析. |
| 4.5 高频印制电路测试板材料选择和设计 |
| 4.5.1 单元高频印制测试板材料选择和设计 |
| 4.5.2 六层高频印制电路测试板制作材料选择 |
| 4.5.3 六层高频印制电路测试板结构设计及加工流程 |
| 4.6 六层高频印制电路测试板性能研究 |
| 4.6.1 六层高频印制电路测试板插入损耗表征方法 |
| 4.6.2 六层高频印制电路测试板信号完整性研究 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 本论文结论 |
| 5.2 论文展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（2）基于过冷水动态制冰的冷冻法电镀废水处理技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电镀废水 |
| 1.1.1 电镀简介 |
| 1.1.2 电镀废水的来源 |
| 1.1.3 电镀废水的危害性 |
| 1.2 现有主要的电镀废水处理方法 |
| 1.2.1 化学沉淀法 |
| 1.2.2 离子交换法 |
| 1.2.3 吸附法 |
| 1.2.4 蒸发浓缩法 |
| 1.2.5 膜分离法 |
| 1.3 现有电镀废水处理面临的主要问题和解决思路 |
| 1.3.1 电镀工业园废水处理面临的主要问题 |
| 1.3.2 大型PCB板生产厂电镀废水处理面临的主要问题 |
| 1.3.3 现行电镀废水处理方法的主要问题 |
| 1.3.4 电镀废水处理战略成本管理分析 |
| 1.4 冷冻法水处理技术 |
| 1.4.1 冷冻法水处理技术的优势 |
| 1.4.2 国内外现有的冷冻法水处理技术现状 |
| 1.5 研究目的和研究内容及技术路线 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.5.3 技术路线 |
| 第二章 试验材料和仪器设备 |
| 2.1 试验用水 |
| 2.1.1 实际电镀液和电镀水洗废水 |
| 2.1.2 模拟电镀水洗废水 |
| 2.1.3 试验用NaCl溶液 |
| 2.2 试验设备 |
| 2.2.1 界面渐进静态冷冻法试验设备 |
| 2.2.2 过冷水动态制冰冷冻法试验设备 |
| 2.3 分析仪器设备 |
| 2.3.1 主要检测内容和分析方法 |
| 2.3.2 主要分析仪器型号 |
| 2.3.3 主要分析仪器使用方法 |
| 第三章 界面渐进静态冷冻法初步试验 |
| 3.1 试验方案 |
| 3.2 实际电镀水洗废水界面渐进静态冷冻法试验 |
| 3.2.1 酸铜工艺电镀水洗废水界面渐进静态冷冻法试验 |
| 3.2.2 镀铬工艺电镀水洗废水界面渐进静态冷冻法试验 |
| 3.2.3 镀镍工艺电镀水洗废水界面渐进静态冷冻法试验 |
| 3.2.4 锌酸盐镀锌工艺电镀水洗废水界面渐进静态冷冻法试验 |
| 3.2.5 实际电镀水洗废水界面渐进静态冷冻法试验结果讨论 |
| 3.3 各种条件下冷冻法对硫酸铜去除率的影响 |
| 3.3.1 溶液浓度与溶质去除率的关系 |
| 3.3.2 冰冻率与溶质去除率间的关系 |
| 3.3.3 溶液成分与溶质去除率间的关系 |
| 3.3.4 pH值与溶质去除率间的关系 |
| 3.3.5 冷冻温度与溶质去除率的关系 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 过冷水成冰机理研究 |
| 4.1 过冷水成冰机理 |
| 4.1.1 过冷水成冰和经典成核理论 |
| 4.1.2 光学显微镜成相试验 |
| 4.2 由“临界冰核”推导最小冰晶尺寸 |
| 4.2.1 临界冰核 |
| 4.2.2 计算最小冰晶尺寸 |
| 4.2.3 绘制最小冰晶结构 |
| 4.3 过冷水冰晶生长过程演示试验 |
| 4.4 过冷水雾化试验 |
| 4.5 “氢键角壁垒”的提出 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 过冷水动态制冰冷冻法主要技术参数研究 |
| 5.1 冰晶尺寸与溶质去除率关系研究 |
| 5.1.1 试验方案 |
| 5.1.2 试验结果与讨论 |
| 5.2 过冷水动态制冰冷冻法能耗分析 |
| 5.2.1 卡诺循环和逆卡诺循环 |
| 5.2.2 计算界面渐进式间接冷冻法的能效比 |
| 5.2.3 计算过冷水动态制冰冷冻法的能效比 |
| 5.3 冰水分离方式研究 |
| 5.3.1 主要的冰水分离方法 |
| 5.3.2 试验方案 |
| 5.3.3 重力过滤分离时间与溶质去除率的关系 |
| 5.3.4 离心脱水时间与溶质去除率的关系 |
| 5.4 产淡水率计算 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 过冷水动态制冰冷冻法处理电镀废水流程研究 |
| 6.1 试验方案 |
| 6.2 试验结果和讨论 |
| 6.2.1 实际电镀液和电镀水洗废水水质 |
| 6.2.2 过冷水动态制冰处理效果和重力分离时间对去除率的影响 |
| 6.2.3 离心固液分离试验 |
| 6.2.4 浓缩比计算 |
| 6.2.5 二次冷冻处理试验 |
| 6.3 处理流程总述 |
| 6.4 处理流程总能耗计算 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 过冷水动态制冰冷冻法处理电镀废水设备及系统设计 |
| 7.1 处理设备废水处理量的确定 |
| 7.1.1 理论废水量 |
| 7.1.2 实测废水量 |
| 7.1.3 处理设备设计废水量 |
| 7.2 冷冻法处理电镀废水工艺流程设计 |
| 7.3 过冷水动态制冰冷冻法电镀废水处理设备设计 |
| 7.3.1 处理设备基本原理 |
| 7.3.2 核心处理器设计 |
| 7.3.3 整体处理系统设计 |
| 7.3.4 处理系统和主处理器工作流程 |
| 7.4 过冷水动态制冰冷冻法处理电镀废水经济分析 |
| 7.4.1 以酸铜电镀工艺为例经济分析 |
| 7.4.2 以镀镍电镀工艺为例经济分析 |
| 7.5 本章小结 |
| 第八章 结论与展望 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 创新点 |
| 8.3 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读博士学位期间发表研究成果情况 |
| 致谢 |
（3）基于PCB工艺的小型化电磁感应式角位移传感器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1.绪论 |
| 1.1 研究的背景和意义 |
| 1.2 角位移传感器的国内外研究现状 |
| 1.2.1 光栅角位移传感器 |
| 1.2.2 旋转变压器 |
| 1.2.3 感应同步器 |
| 1.2.4 Zettlex IncOder传感器 |
| 1.2.5 电磁感应式时栅位移传感器 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 2.电磁感应式角位移传感器理论研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 传感器相关的电磁理论 |
| 2.2.1 磁路中的基本概念 |
| 2.2.2 磁路中的基本定律 |
| 2.3 磁场约束方法的研究 |
| 2.3.1 导磁体对磁场的约束 |
| 2.3.2 线圈形状对磁场的约束 |
| 2.4 本章小结 |
| 3.基于PCB工艺的角位移传感器模型仿真分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 传感器模型的分析过程 |
| 3.3 单通道齿形转子平面式传感器模型仿真与分析 |
| 3.4 单通道阵列铜箔转子平面式传感器模型仿真与分析 |
| 3.5 双通道绝对式传感器模型仿真与分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 4.实验平台及其电气系统的设计与搭建 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电气系统设计 |
| 4.3 实验平台搭建 |
| 4.4 本章小结 |
| 5.传感器样机与实验研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 传感器PCB设计和制作 |
| 5.2.1 传感器PCB设计 |
| 5.2.2 传感器PCB制作 |
| 5.2.3 传感器样机装配方案 |
| 5.3 实验验证与误差分析 |
| 5.3.1 传感器样机的精度实验 |
| 5.3.2 传感器样机的误差分析 |
| 5.4 传感器的小型化样机与实验 |
| 5.4.1 传感器结构设计与制作 |
| 5.4.2 精度实验与误差分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 6.总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及取得的研究成果 |
（4）高频高速印制电路板ENEPIG表面修饰技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微电子封装互连技术发展现状 |
| 1.2 化学镀镍/镀钯/浸金表面修饰技术现状及发展 |
| 1.2.1 印制电路板表面修饰技术 |
| 1.2.2 化学镀镍/镀钯/浸金表面修饰技术概述 |
| 1.2.3 化学镀镍 |
| 1.2.4 化学镀钯/化学镀金 |
| 1.3 高频高速印制电路板信号完整性概述 |
| 1.3.1 高频高速印制电路板简述 |
| 1.3.2 信号完整性概述 |
| 1.4 论文选题依据及研究内容 |
| 1.4.1 论文选题依据 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 第二章 二甲胺基甲硼烷-次亚磷酸钠双还原剂体系非钯活化研究 |
| 2.1 实验部分 |
| 2.1.1 实验药品及仪器 |
| 2.1.2 配方优化正交实验设计 |
| 2.1.3 电化学测试 |
| 2.1.4 沉积速率测试 |
| 2.1.5 镀层元素含量及形貌分析 |
| 2.2 结果与讨论 |
| 2.2.1 二甲胺基硼烷电化学性能分析 |
| 2.2.2 正交实验结果分析 |
| 2.2.3 电化学测试结果分析 |
| 2.2.4 沉积速率对比 |
| 2.2.5 镀层元素含量及形貌分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 不同含硫稳定剂对化学镀镍影响及吸附行为研究 |
| 3.1 实验部分 |
| 3.1.1 溶液配置及实验方案 |
| 3.1.2 实验表征及测试 |
| 3.2 实验结果与分析 |
| 3.2.1 稳定剂对H2PO2-阳极极化的影响 |
| 3.2.2 稳定剂对镀液稳定性及镀速的影响 |
| 3.2.3 稳定剂对镀层表面形貌的影响 |
| 3.2.4 镀层电化学性能分析 |
| 3.3 理论化学计算与分子动力学模拟 |
| 3.3.1 量子化学计算 |
| 3.3.2 分子动力学模拟 |
| 3.4 含硫稳定剂作用机理分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 镍钯金表面修饰技术对高频传输线信号完整性的影响 |
| 4.1 实验方案及结果表征 |
| 4.1.1 测试板设计 |
| 4.1.2 实验表征及测试方法 |
| 4.2 实验结果与讨论 |
| 4.2.1 不同铜面修饰技术表面微观形貌及粗糙度观察 |
| 4.2.2 不同铜面修饰技术表面元素含量分析 |
| 4.2.3 不同铜面修饰技术对微带线信号完整性的影响 |
| 4.2.4 镍层磷含量对微带线信号传输的影响 |
| 4.2.5 镍厚对微带线信号传输的影响研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（5）制药产业国际竞争力关键因素与形成机理研究 ——基于美日欧制药产业的实证分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 研究目标与研究框架 |
| 1.2.1 研究目标 |
| 1.2.2 研究思路与框架 |
| 1.3 研究方法和创新之处 |
| 1.3.1 研究方法 |
| 1.3.2 创新之处 |
| 第2章 理论基础及文献综述 |
| 2.1 理论基础 |
| 2.1.1 比较优势理论 |
| 2.1.2 产业竞争理论 |
| 2.2 文献综述 |
| 2.2.1 制药产业发展相关文献 |
| 2.2.2 企业竞争力相关文献 |
| 2.2.3 产业竞争力影响因素相关文献 |
| 2.2.4 竞争力评价体系文献 |
| 2.3 文献述评 |
| 第3章 制药产业发展影响因素分析 |
| 3.1 主要发达国家制药产业现状分析 |
| 3.1.1 主要发达国家经济、社会状况分析 |
| 3.1.2 美国制药产业现状分析 |
| 3.1.3 日本制药产业现状分析 |
| 3.1.4 欧洲国家制药产业现状分析 |
| 3.2 主要发达国家制药产业发展影响因素分析 |
| 3.2.1 企业发展周期视角下相关影响因素分析 |
| 3.2.2 制药企业发展过程中相关因素的作用 |
| 3.2.3 制药产业发展内外环境影响因素分析 |
| 3.3 制药产业特征分析 |
| 3.3.1 产业需求特征 |
| 3.3.2 产业竞争特征 |
| 3.3.3 产业技术特征 |
| 3.3.4 产业发展特征 |
| 3.3.5 产业盈利特征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 制药产业竞争要素分析及竞争力评价 |
| 4.1 制药产业竞争要素分析 |
| 4.1.1 产业发展状况相关要素 |
| 4.1.2 产业支撑环境相关要素 |
| 4.2 制药产业国际竞争力评价 |
| 4.2.1 制药产业国际竞争力概述 |
| 4.2.2 评价指标的界定 |
| 4.2.3 评价指标权重的确定 |
| 4.2.4 各国制药产业竞争力的评价模型 |
| 4.2.5 各国制药产业竞争优势比较与分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 制药产业关键竞争要素实证研究 |
| 5.1 产业规模、产业质量指标视角下的竞争要素实证研究 |
| 5.1.1 实证研究设计 |
| 5.1.2 数据来源与预处理 |
| 5.1.3 产业规模指标分析过程 |
| 5.1.4 产业质量指标分析过程 |
| 5.2 产业结构指标视角下的竞争要素实证比较 |
| 5.2.1 实证研究设计 |
| 5.2.2 数据来源和预处理 |
| 5.2.3 制药企业单一要素实证比较研究 |
| 5.2.4 制药企业全要素实证比较研究 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 制药产业国际竞争力形成机理分析 |
| 6.1 产业规模竞争力关键因素分析 |
| 6.1.1 实证结果比较分析 |
| 6.1.2 关键因素分析 |
| 6.2 产业质量竞争力关键因素分析 |
| 6.2.1 实证结果比较分析 |
| 6.2.2 关键因素分析 |
| 6.3 产业结构竞争力关键因素分析 |
| 6.4 制药产业国际竞争力形成机理与差异分析 |
| 6.4.1 制药产业竞争力形成关键因素作用 |
| 6.4.2 制药产业竞争力形成机理综合分析 |
| 6.4.3 各国制药产业竞争力形成机理差异分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 结论与启示 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 对中国制药产业发展的启示 |
| 7.2.1 中国制药产业现状分析 |
| 7.2.2 中国制药产业竞争力形成路径分析 |
| 7.2.3 中国制药产业发展战略分析 |
| 7.3 不足之处与研究展望 |
| 7.3.1 不足之处 |
| 7.3.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 攻读期间的学术成果 |
| 致谢 |
（6）印制电路互连图形表面锡修饰的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 印制电路行业发展历史与现状 |
| 1.1.2 锡的物理化学特性和电化学特性 |
| 1.1.3 电镀锡的原理及发展 |
| 1.1.4 电镀锡技术在印制电路制造中的应用 |
| 1.2 电镀锡酸性与碱性工艺比较及其配方体系 |
| 1.2.1 酸性硫酸盐电镀锡体系 |
| 1.2.2 酸性甲基磺酸盐电镀锡体系 |
| 1.2.3 其他酸性电镀锡体系 |
| 1.3 镀锡添加剂种类及其作用机理简介 |
| 1.3.1 锡电镀稳定剂 |
| 1.3.2 锡电镀光亮剂 |
| 1.3.3 锡电镀分散剂 |
| 1.4 本文选题依据和研究内容 |
| 1.4.1 选题依据 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 第二章 印制电路表面镀锡光亮剂吸附行为模拟的研究 |
| 2.1 光亮剂分子的选取 |
| 2.2 香兰素等光亮剂分子的量子化学计算 |
| 2.2.1 计算步骤 |
| 2.2.2 计算结果与分析-香兰素等分子结构和轨道电子云分布 |
| 2.2.3 计算结果与分析-香兰素等分子的静电势分布 |
| 2.3 分子动力学模拟香兰素等光亮剂分子的吸附行为研究 |
| 2.3.1 模拟步骤 |
| 2.3.2 模拟结果与分析-香兰素等在锡晶面的吸附模型和能量变化 |
| 2.3.3 模拟结果与分析-香兰素等在锡晶面的吸附状态和吸附能计算 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 印制电路表面镀锡光亮剂电化学行为及镀层性能的研究 |
| 3.1 香兰素等光亮剂的电化学行为测试与分析 |
| 3.2 PCB基板铜面镀锡层的微观形貌表征 |
| 3.2.1 镀锡层的微观形貌测试 |
| 3.2.2 镀锡层的结晶取向分析 |
| 3.3 PCB基板铜面镀锡层的耐蚀性能测试 |
| 3.3.1 样品镀层的电化学腐蚀测试结果与分析 |
| 3.3.2 样品表面锡层在退锡液中的蚀刻速率 |
| 3.3.3 样品镀层经不同处理后的微观形貌 |
| 3.3.4 镀锡样板电子线路的侧蚀结果 |
| 3.4 PCB基板铜面镀锡光亮剂的应用浓度优化 |
| 3.4.1 乙基香兰素的应用浓度优化 |
| 3.4.2 香兰素的应用浓度优化 |
| 3.4.3 藜芦醛的应用浓度优化 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于锡种子层的印制电路互连线路制作技术研究 |
| 4.1 现有印制电路互连线路制作技术概述 |
| 4.1.1 传统的印制电路互连线路制造技术 |
| 4.1.2 基于种子层的印制电路互连线路制造技术 |
| 4.2 以锡为种子层的新型印制电路制造技术的实施方案确定 |
| 4.2.1 生长锡质种子层 |
| 4.2.2 图形转移 |
| 4.2.3 图形电镀铜 |
| 4.2.4 褪膜和热处理 |
| 4.2.5 退锡 |
| 4.3 环氧树脂基板上的实验实施过程与结果分析 |
| 4.3.1 实验实施步骤 |
| 4.3.2 结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 全文结论 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（7）金属沉积构建电子元件电气互连结构的研究与应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电子元件电气互连结构简介 |
| 1.2.1 印制电路板任意层互连技术 |
| 1.2.2 叠层型片式电感端电极制作技术 |
| 1.3 印制电路板电镀铜填盲孔技术进展 |
| 1.3.1 孔金属化技术 |
| 1.3.2 电镀铜填盲孔原理 |
| 1.3.3 电镀铜填孔添加剂 |
| 1.3.3.1 抑制剂 |
| 1.3.3.2 加速剂 |
| 1.3.3.3 整平剂 |
| 1.3.4 添加剂协同与填孔模型 |
| 1.3.5 开路条件下的加速剂吸附与解吸附 |
| 1.4 各向异性生长的化学镀镍技术进展 |
| 1.5 本论文选题依据和研究内容 |
| 第二章 基于添加剂局部预吸附的快速电镀铜填盲孔技术研究 |
| 2.1 电镀铜填盲孔基础配方研究 |
| 2.1.1 实验部分 |
| 2.1.1.1 整平剂合成 |
| 2.1.1.2 整平剂性能电化学测试 |
| 2.1.1.3 整平剂性能霍尔槽电镀测试 |
| 2.1.1.4 整平剂性能哈林槽电镀测试 |
| 2.1.2 结果与讨论 |
| 2.1.2.1 整平剂IMEP合成 |
| 2.1.2.2 整平剂性能电化学测试 |
| 2.1.2.3 整平剂性能霍尔槽电镀测试 |
| 2.1.2.4 整平剂性能哈林槽电镀测试 |
| 2.1.2.5 电镀铜填盲孔基础配方 |
| 2.1.3 电镀铜填盲孔基础配方研究小结 |
| 2.2 电镀铜填盲孔体系添加剂预吸附研究 |
| 2.2.1 实验部分 |
| 2.2.1.1 铜表面添加剂预吸附电化学测试 |
| 2.2.1.2 电镀液填孔能力电化学模拟 |
| 2.2.1.3 哈林槽电镀 |
| 2.2.2 结果与讨论 |
| 2.2.2.1 开路条件下铜表面添加剂预吸附研究 |
| 2.2.2.2 添加剂预吸附对电镀液填盲孔能力的影响 |
| 2.2.2.3 基于吸附/解吸附的SPS局部预吸附研究 |
| 2.2.3 电镀铜填盲孔体系添加剂预吸附研究小结 |
| 2.3 SPS局部预吸附加速电镀铜填盲孔的应用研究 |
| 2.3.1 实验部分 |
| 2.3.1.1 电沉积法SPS预吸附 |
| 2.3.1.2 电镀液填孔能力电化学模拟 |
| 2.3.1.3 哈林槽电镀 |
| 2.3.2 结果与讨论 |
| 2.3.2.1 电沉积法SPS预吸附研究 |
| 2.3.2.2 SPS局部预吸附加速电镀铜填盲孔研究 |
| 2.3.2.3 SPS局部预吸附对铜镀层的影响 |
| 2.3.3 SPS局部预吸附技术应用小结 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 开路下铜表面对流调控添加剂竞争吸附的研究与应用 |
| 3.1 开路条件下对流调控的添加剂竞争吸附研究 |
| 3.1.1 实验部分 |
| 3.1.1.1 电化学测试 |
| 3.1.1.2 分子动力学模拟 |
| 3.1.1.3 哈林槽电镀 |
| 3.1.2 结果与讨论 |
| 3.1.2.1 SPS与 EO/PO受对流调控的竞争吸附行为研究 |
| 3.1.2.2 吸附时间对SPS与 EO/PO竞争吸附的影响 |
| 3.1.2.3 添加剂浓度对SPS与 EO/PO竞争吸附的影响 |
| 3.1.2.4 SPS与 EO/PO竞争吸附中SPS的解吸附行为研究 |
| 3.1.2.5 SPS与 EO/PO对流调控竞争吸附模型 |
| 3.1.2.6 Cl-对SPS与 EO/PO竞争吸附的影响 |
| 3.1.2.7 PEG分子量对SPS与 PEG对流调控竞争吸附的影响 |
| 3.1.3 对流调控添加剂竞争吸附研究小结 |
| 3.2 对流调控添加剂竞争吸附加速电镀铜填盲孔的应用研究 |
| 3.2.1 实验部分 |
| 3.2.1.1 GM实验 |
| 3.2.1.2 哈林槽电镀 |
| 3.2.2 结果与讨论 |
| 3.2.3 对流调控添加剂竞争吸附加速电镀铜填盲孔应用小结 |
| 3.3 对流调控添加剂竞争吸附加速电镀铜填硅沟槽的应用研究 |
| 3.3.1 实验部分 |
| 3.3.1.1 哈林槽电镀 |
| 3.3.1.2 GM实验 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.3.2.1 种子层对硅沟槽填充的影响 |
| 3.3.2.2 电镀铜填硅沟槽基础配方研究 |
| 3.3.2.3 SPS+EO/PO预吸附加速电镀铜填硅沟槽研究 |
| 3.3.3 对流调控添加剂竞争吸附加速电镀铜填硅沟槽应用小结 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 精细银线路上各向异性生长的化学镀镍磷研究与应用 |
| 4.1 各向异性化学镀镍磷技术及机理研究 |
| 4.1.1 实验部分 |
| 4.1.1.1 样品制备 |
| 4.1.1.2 化学镀镍磷 |
| 4.1.2 结果与讨论 |
| 4.1.2.1 各向异性生长的化学镀镍磷技术研究 |
| 4.1.2.2 银线路、镍磷镀层和陶瓷基体润湿性差异研究 |
| 4.1.2.3 乙酸铅对各向异性化学镀镍磷生长的影响 |
| 4.1.2.4 非线性扩散对乙酸铅抑制作用的影响 |
| 4.1.2.5 对流条件对银线路阵列上镍磷镀层均匀性的影响 |
| 4.1.2.6 各向异性化学镀镍磷镀层形貌机理研究 |
| 4.1.3 各向异性化学镀镍磷研究小结 |
| 4.2 各向异性化学镀镍磷制作片式电感L形结构端电极研究 |
| 4.2.1 实验部分 |
| 4.2.2 结果与讨论 |
| 4.2.2.1 镀液pH值对L形结构端电极制作的影响 |
| 4.2.2.2 活化处理对L形结构端电极制作的影响 |
| 4.2.2.3 陶瓷基体上镍颗粒形成原因研究 |
| 4.2.2.4 100 k片式电感端电极制作研究 |
| 4.2.3 片式电感L形结构端电极制作小结 |
| 4.3 片式电感L形结构端电极制作产业化研究 |
| 4.3.1 镀槽设计研究 |
| 4.3.2 1kk片式电感端电极制作工艺控制研究 |
| 4.3.3 片式电感L形结构端电极可焊性与可靠性研究 |
| 4.3.4 片式电感L形结构端电极产业化制作小结 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（8）面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 FICS的产业现状及特点 |
| 1.1.2 FICS制造过程常见缺陷 |
| 1.1.3 FICS基板图像特点 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 视觉检测技术 |
| 1.2.2 基板图像的缺陷检测技术 |
| 1.3 显微成像基板图的关键技术难点分析 |
| 1.4 主要研究内容及结构 |
| 1.4.1 主要研究内容 |
| 1.4.2 本文结构 |
| 第二章 显微成像的FICS图像预处理算法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 基于拓扑映射的显微成像基板图降噪算法 |
| 2.2.1 算法设计 |
| 2.2.2 实验结果及比较 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 氧化缺陷图像的类型及相应算法 |
| 3.2.1 低倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.2 高倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.3 不同环境的氧化缺陷检测算法 |
| 3.3 基于低倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.3.1 算法设计 |
| 3.3.2 实验结果及比较 |
| 3.4 基于高倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.4.1 算法设计 |
| 3.4.2 实验结果及比较 |
| 3.5 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法对比 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 显微成像的FICS图像油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于微分几何工具的油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.2.1 算法设计 |
| 4.2.2 实验结果及比较 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 工程应用设计与验证 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 检测仪的主要功能 |
| 5.3 检测仪的软硬件组成 |
| 5.3.1 硬件组成 |
| 5.3.2 软件组成 |
| 5.4 FICS图像算法的工程设计与验证 |
| 5.4.1 显微成像基板图的降噪算法的工程设计与验证 |
| 5.4.2 低倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.3 高倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.4 显微成像基板图的油墨异物检测算法的工程设计与验证 |
| 5.5 在线检测实例 |
| 5.6 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 1.结论 |
| 2.创新点 |
| 3.展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（9）倒装焊焊点的可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 电子封装技术的发展 |
| 1.2 倒装焊技术的国内外研究现状 |
| 1.3 倒装焊技术概述 |
| 1.3.1 倒装焊接互连基板的金属焊区制作 |
| 1.3.2 主要的倒装焊工艺方法 |
| 1.3.3 倒装焊接技术的实际应用 |
| 1.4 倒装焊的可靠性问题及研究 |
| 1.4.1 焊料的无铅化 |
| 1.4.2 倒装焊焊点的可靠性 |
| 第2章 热超声倒装键合实验 |
| 2.1 热超声倒装键合技术 |
| 2.2 热超声倒装键合实验台结构 |
| 2.3 热超声倒装实验条件 |
| 2.4 热超声倒装键合实验过程 |
| 2.4.1 芯片制备过程 |
| 2.4.2 热超声工艺参数测试实验 |
| 2.4.3 实验结果 |
| 2.5 实验结论 |
| 第3章 有限元方法的应用 |
| 3.1 有限元数值模拟 |
| 3.1.1 有限单元法 |
| 3.1.2 通用有限元软件ANSYS |
| 3.2 焊点材料本构模型 |
| 3.3 SnAg焊料Anand粘塑性本构模型 |
| 第4章 倒装焊焊点的应力应变有限元仿真 |
| 4.1 焊点的ANSYS建模分析 |
| 4.1.1 焊点有限元模型基本参数的确定 |
| 4.1.2 焊点模型应力应变分析 |
| 4.1.3 焊点在整个热循环阶段应力应变分析 |
| 4.2 倒装焊焊点的热疲劳失效 |
| 4.2.1 焊点寿命预测 |
| 4.2.2 焊点形态对焊点热疲劳失效的影响 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 |
（10）PCB线路选择性激光镀蚀工艺的实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 印制电路板概述 |
| 1.1.1 印制电路板的制造 |
| 1.1.2 印制电路的发展 |
| 1.1.3 激光技术在印制电路板制造中的应用 |
| 1.2 激光刻蚀技术 |
| 1.2.1 激光刻蚀技术原理 |
| 1.2.2 激光刻蚀的国内外研究现状 |
| 1.2.3 表面黑化的国内外研究现状 |
| 1.3 激光镀技术 |
| 1.3.1 聚乙烯吡咯烷酮的作用 |
| 1.3.2 化学镀铜基本原理 |
| 1.3.3 选择性激光诱导化学镀国内外研究现状 |
| 1.4 研究意义及主要内容 |
| 第二章 实验方法及表征 |
| 2.1 实验材料与设备 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.2.1 PCB激光刻蚀实验方法 |
| 2.2.2 PCB激光诱导选择性镀铜实验方法 |
| 2.3 性能检测及表征方法 |
| 2.3.1 紫外可见近红外反射光谱 |
| 2.3.2 X射线衍射 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜和能量色散谱 |
| 2.3.4 原子力显微镜 |
| 2.3.5 台阶仪 |
| 第三章 PCB激光蚀刻工艺实验研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 涂层黑化的实验结果与分析 |
| 3.3.1 光致阻焊剂涂层对PCB基板表面激光吸收率的影响 |
| 3.3.2 不同颜色光致阻焊剂涂层对PCB基板表面激光吸收率的影响 |
| 3.3.3 实验验证 |
| 3.4 表面黑氧化的实验结果与分析 |
| 3.4.1 黑氧化液的选择 |
| 3.4.2 表面黑氧化工艺的优化 |
| 3.4.3 覆铜板表面的SEM分析 |
| 3.4.4 黑氧化膜的X射线衍射分析 |
| 3.4.5 黑氧化膜的吸收光谱分析 |
| 3.4.6 激光刻蚀实验验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 PCB选择性激光镀技术与工艺研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法与步骤 |
| 4.2.1 选择性激光镀工艺过程 |
| 4.2.2 活化液配方实验设计 |
| 4.2.3 感光膜制备工艺实验设计 |
| 4.2.4 显影工艺实验设计 |
| 4.2.5 镀铜液的制备 |
| 4.3 选择性激光镀工艺及配方的实验研究 |
| 4.3.1 活化液配方实验优选 |
| 4.3.2 感光膜制备工艺优选 |
| 4.3.3 显影工艺实验优选 |
| 4.4 光刻层及镀铜层形貌分析 |
| 4.4.1 激光功率对光刻层及镀铜层形貌的影响 |
| 4.4.2 激光扫描频率对光刻层及镀铜层形貌的影响 |
| 4.4.3 激光扫描速度对光刻层及镀铜层形貌的影响 |
| 4.5 显影后光刻层的性能分析 |
| 4.5.1 感光膜的吸收光谱分析 |
| 4.5.2 光刻层的XRD分析 |
| 4.5.3 光刻层的SEM分析 |
| 4.5.4 光刻层的EDS分析 |
| 4.5.5 光刻层的AFM分析 |
| 4.5.6 光刻层的I-V特性分析 |
| 4.6 镀铜层的分析 |
| 4.6.1 镀铜层的EDS分析 |
| 4.6.2 镀铜时间对镀铜形貌的影响 |
| 4.6.3 镀铜时间对镀铜导电性的影响 |
| 4.6.4 镀铜层的断面形貌 |
| 4.6.5 镀铜层结合力测试 |
| 4.6.6 激光功率对镀铜层粗糙度的影响 |
| 4.7 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 特色与创新 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文与参与项目 |
| 致谢 |
四、印制线路基板制造业面临重新洗牌——纳米技术在PCB基板中的应用前景及其战略研究（论文参考文献）
- [1]PCB基板铜箔表面碱性氧化处理技术及其应用研究[D]. 狄梦停. 电子科技大学, 2021
- [2]基于过冷水动态制冰的冷冻法电镀废水处理技术研究[D]. 陈栋. 广州大学, 2020
- [3]基于PCB工艺的小型化电磁感应式角位移传感器研究[D]. 景欢. 重庆理工大学, 2020(08)
- [4]高频高速印制电路板ENEPIG表面修饰技术研究[D]. 罗佳玉. 电子科技大学, 2020(07)
- [5]制药产业国际竞争力关键因素与形成机理研究 ——基于美日欧制药产业的实证分析[D]. 李超. 中国政法大学, 2020(08)
- [6]印制电路互连图形表面锡修饰的研究[D]. 胡甲聪. 电子科技大学, 2020(08)
- [7]金属沉积构建电子元件电气互连结构的研究与应用[D]. 朱凯. 电子科技大学, 2019(04)
- [8]面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究[D]. 钟智彦. 华南理工大学, 2019(01)
- [9]倒装焊焊点的可靠性研究[D]. 罗威. 桂林理工大学, 2018(05)
- [10]PCB线路选择性激光镀蚀工艺的实验研究[D]. 姚丽丽. 广东工业大学, 2018(01)